我们从简单的例子开始。在嵌入式系统中,可从前端电源提供一个12V总线电压轨。在系统板上,需要一个3.3V电压为一个运算放大器(运放)供电。产生3.3V电压较简单的方法是使用一个从12V总线引出的电阻分压器,如图1所示。这种做法效果好吗?回答常常是“否”。在不同的工作条件下,运放的VCC引脚电流可能会发生变化。假如采用一个固定的电阻分压器,则IC VCC电压将随负载而改变。此外,12V总线输入还有可能未得到良好的调节。在同一个系统中,也许有很多其他的负载共享12V电压轨。由于总线阻抗的原因,12V总线电压会随着总线负载情况的变化而改变。因此,电阻分压器不能为运放提供一个用于确保其正确操作的3.3V稳定电压。于是,需要一个专业的电压调节环路。线性稳压电源由调整管、参考电压、取样电路、误差放大电路等几个基本部分组成。深圳市凯轩业电子。湖南厂家直销锁存器
电源管理芯片的应用范围十分广大,发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义,对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关,而数字电源管理芯片的发展还需跨越成本难关。当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。电源管理芯片的作用 首先,电子设备的中心是半导体芯片。而为了提高电路的密度,芯片的特征尺寸始终朝着减小的趋势发展,电场强度随距离的减小而线性增加,如果电源电压还是原来的5V,产生的电场强度足以把芯片击穿。所以,这样,电子系统对电源电压的要求就发生了变化,也就是需要不同的降压型电源。为了在降压的同时保持高效率,一般会采用降压型开关电源。湖南厂家直销锁存器锁存器就选深圳市凯轩业科技,竭诚为您服务。
由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流,因此被广大用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低,因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流,因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而,由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容,因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET,因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作,但电容值不用很大,ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅极偏置电压,因此电路相对复杂一些。幸运的是,相同负载电流下N沟道FET尺寸较多时可比P沟道FET小50%.
时钟电路本身是不会控制什么东西,而是你通过程序让单片机根据时钟来做相应的工作。几乎所有的数字系统在处理信号都是按节拍一步一步地进行的,系统各部分也是按节拍做的,要使电路的各部分统一节拍就需要一个“时钟信号”,产生这个时钟信号的电路就是时钟电路。时钟电路的中心是个比较稳定的振荡器(一般都用晶体振荡器),振荡器产生的是正弦波,频率不一定是电路工作的时钟频率。所以要把这正弦波进行分频,处理,形成时钟脉冲,然后分配到需要的地方。让系统各部分工作时使用。深圳市凯轩业科技有限公司在同行业领域中,一直处在一个不断锐意进取,不断制造创新的市场高度,多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准,在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑,成绩让我们喜悦,但不会让我们止步,残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志凯轩业科技有限公司,锁存器,欢迎来电。
对于嵌入式应用而言,NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择,因为它的压差小,而且非常容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用,因为它的压差不够低。它的高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安,而且它的公共发射极结构具有很低的输出阻抗。PNP 旁路晶体管是一种低压差稳压器,其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低,因此这种PNP旁路晶体管稳压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外,PNP晶体管增益较低,会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射极结构,因此它的输出阻抗比较高,这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻(ESR)的电容才能够稳定工作。锁存器只选凯轩业科技有限公司,信赖之选。节能锁存器电话
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噪声是衡量电压基准芯片的性能的另一个重要参数。通常在0.1Hz到10Hz和10Hz到10kHz两个频率范围内给出噪声参数,以便设计者估算电压基准在所关注的频率范围内的噪声。输出噪声通常与输出电压成比例,以ppm为单位。0.1Hz到10Hz的噪声主要是闪烁噪声,或称为公式2噪声,其噪声幅度与频率成反比,一般会给出这一频率范围内噪声的峰峰值(P-P)。不同半导体器件的闪烁噪声特性差别很大,例如MOSFET的闪烁噪声比较大,而双极型晶体管的闪烁噪声则要小得多,次表面击穿的稳压管闪烁噪声也很小,因此采用不同工艺设计的电压基准芯片,低频噪声特性差别会比较大。湖南厂家直销锁存器
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