场效应管传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极较大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:点，金属栅极采用V型槽结构；具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 场效应管的优势包括低噪声、高输入阻抗、低功耗、高频率响应等。金华耗尽型场效应管原理
各类音频放大器具有各自的优点及属性，也各有其不足之处，而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势，同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上，大量实践证明，单端甲类功放是以效率换音质的典范，具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发，反复制作功放，反复对比听音，非常终为A类所动，似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。各类音频放大器具有各自的优点及属性，也各有其不足之处，而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势，同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上，大量实践证明，单端甲类功放是以效率换音质的典范，具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发，反复制作功放，反复对比听音，非常终为A类所动，似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。 珠海结型场效应管结型场效应管可以被用来做恒流集成二极管或者定值电阻。
场效应管：当带电荷的生物分子在离子敏感膜上发生识别并形成复合物时，或生物分子在离子敏感膜上发生生化反应形成有离子型产物(如H+) 时，将引起离子敏感膜表面电荷密度的改变，从而改变离子敏感膜电位，这就相当于通过外电源调节栅极电压，达到控制源极与漏极之间的沟道电流的目的。而且，栅极敏感膜上的生物分子吸附量与漏极输出电流在一定范围内有线性相关性。因此，通过测量漏极电流大小就可以定量分析发生在栅极离子敏感膜上的生物反应，这些生物反应包括核酸杂化、蛋白质作用、抗体抗原结合，以及酶底物反应。
场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 场效应管输入结电容小（反馈电容），输出端负载的变化对输入端影响小。
腻流畅的磁性声，弹性十足震撼人心的低频轰炸声，别有一番霸道气势。在一般的设计中场效应管特长没有得到充分发挥，甚至认为声音偏冷、偏暗，其实这不是场效应管的原因。其声音不好，一方面是人们使用它直接代换晶体管，晶体管的线路是不能发挥出场效应管的特性的；另一方面，这些电路通常使用AB类的偏置。根据场效应管转移特性，在低偏置时具有严重的非线性，带来严重的失真，解决的办法是让其工作在A类状态，特别是单端A类，瞬态特性较好，音质纯美，偶次谐波丰富，音色悦耳动听，更具有电子管的醇美音色。 场效应晶体管（Field Effect Transistor(FET)）简称场效应管。广东耗尽型场效应管生产商
场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用。金华耗尽型场效应管原理
场效应管电阻法测好坏:测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 金华耗尽型场效应管原理
深圳市盟科电子科技有限公司成立于2010-11-30，同时启动了以盟科,MENGKE为主的MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器产业布局。业务涵盖了MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等诸多领域，尤其MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器中具有强劲优势，完成了一大批具特色和时代特征的电子元器件项目；同时在设计原创、科技创新、标准规范等方面推动行业发展。我们在发展业务的同时，进一步推动了品牌价值完善。随着业务能力的增长，以及品牌价值的提升，也逐渐形成电子元器件综合一体化能力。公司坐落于深圳市光明新区凤凰街道松白路4048号塘尾社区宝塘工业区A1、A2栋厂房，业务覆盖于全国多个省市和地区。持续多年业务创收，进一步为当地经济、社会协调发展做出了贡献。
