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场效应管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 齐全
  • 加工定制
  • 工作电压
  • 20-700
  • 产品用途
  • 消费类电子,小家电
  • 厂家
  • 深圳盟科电子
  • 产地
  • 广东
  • 封装
  • SOT系列 TO系列
  • MOS类型
  • N管 P管 N+P 双N 双P
  • 塑封料
  • 无卤
  • 环保认证
  • SGS认证
  • 样品
  • 支持
场效应管企业商机

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 场效应管的优势包括低噪声、高输入阻抗、低功耗、高频率响应等。深圳P沟耗尽型场效应管供应

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场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID, 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 江苏非绝缘型场效应管市场价场效应管的制造工艺简单,有利于大规模集成。

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场效应管判断跨导的大小:测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

场效应管非常重要的一个作用是作开关作用,作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管,MOS管非常明显的特性是开关特性好,对于NMOS来说,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况,也就是所谓的低端驱动,只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而对于PMOS来说,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况,也就是驱动。但是,虽然PMOS可以很方便地用作驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在驱动中,通常还是使用NMOS。如下图是某开关电源其中一部分电路图,在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。 场效应管的性能受温度影响较大。

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场效应管传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极较大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,其两大结构特点:点,金属栅极采用V型槽结构;具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 场效应管的低功耗和高频率响应使其在高速数字电路和无线通信系统中得到大范围应用。佛山金属氧化半导体场效应管生产商

场效应管可以用于电子开关和调节器件。深圳P沟耗尽型场效应管供应

场效应管以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。 深圳P沟耗尽型场效应管供应

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