浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒（crowbar）器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压.线性稳压电源调节滤波后的直流电压，以使输入电压达到要求的值和精度要求。凯轩业。黑龙江半导体放电管的工作原理
玻璃放电管SPG是集陶瓷气体放电管的大浪涌通流能力和半导体放电管的快速响应于一体的防雷元器件，克服了原气体放电管响应速度慢（μs级）和半导体放电管耐浪涌电流弱的缺点，是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（比较大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（比较高达4500V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。按它的8/20μs脉冲放电电流IPP的大小分为UNC(3kA)、UNB(1kA)、UNA(500A)三个系列。黑龙江半导体放电管的工作原理深圳市凯轩业科技半导体放电管设计值得用户放心。
主要技术参数及使用选择一、常用技术参数1、直流放电电压在上升陡度低于100V/s的电压作用下，放电管开始放电的平均电压值称为其直流放电电压。由于放电的分散性，所以，直流放电电压是一个数值范围。2、冲击放电电压在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下，放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。放电管的响应时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关，对于不同的上升陡度，放电管的冲击放电电压是不同的。3、工频耐受电流放电管通过工频电流5次，使管子的直流放电电压及绝缘电阻无明显变化的更大电流称为其工频耐受电流。4、冲击耐受电流将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流，使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的更大值电流峰值称为管子的冲击耐受电流。这一参数是在一定波形和一定通流次数下给出的，制造厂通常给出在8/20us波形下通流10次的冲击耐受电流，也有给出在10/1000us波形下通流300次的冲击耐受电流。
绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大，厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值，约为数千兆欧。绝缘电阻值的降低会导致漏流的增大，有可能产生噪音干扰。放电管的寄生电容很小，极间电容一般在1pF～5pF范围，极间电容在很宽的频率范围内保持近似不变，同型号放电管的极间电容值分散性很小。6.直流放电电压的选择从不影响被保护系统正常运行的要求出发，希望放电管的直流放电电压选得高些。但直流放电电压高的管子，冲击放电电压也高；从被保护电子设备的耐受性来说看，希望管子的直流放电电压选得低一些。所以，放电管的支流放电电压应在这两种相互制约的要求之间进行折衷选择。玻璃放电管的工作原理：玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。
气体放电发光原理放电通常比白炽灯更有效，这是由于其辐射来自高于固体灯丝能达到的温度区域。放电是比钨更有选择的发射体(可移向可见区或者紫外区而远离红外辐射x)，因此在红外辐射区有更少的能量浪费放电形成等离子体，它是离子、电子形成的混合体，平均呈电中性。一般必须有与等离子体的电子连接，通常是电极，但无电极连接也是可能的。气体放电示意图:空心圆表示可被电离和形成等离子体的气体原子。当带有正电荷的粒子在电场作用下定向位移时，就形成了放电电流。阴极必须能发射出足够多的电子，以维持电流的持续，而阳极则接收电流。图中的电阻是直流放电时起限制电流作用的镇流器。圆中有*符号的表示是被高能电子激发的原子，他们会产生辐射。当一个足够大的电场加在气体上，气体被击穿而导电。**熟悉的例子是闪电。产生击穿是由于自然界中总有数量很小的、由宇宙射线或者自然放射所产生的以电子-离子对形式存在的电离。外加的电场使电子加速(离子相对是静止的)气体放电管就选凯轩业科技，有想法可以来我司咨询！黑龙江半导体放电管的工作原理
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半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。黑龙江半导体放电管的工作原理
