整流二极管是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。 二极管**重要的特性是单向导电性。 在电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。 通常它包含一个 PN 结，有两个端子：正极和负极。 其结构如图2所示，P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区之间形成一定的势垒。 当外加电压使P区相对N区有正电压时，势垒减小，势垒两侧附近产生存储载流子，可以通过大电流，电压降小（典型值） 值为0.7V），称为正导通状态。 若施加相反的电压，则势垒增大，能承受较高的反向电压并流过较小的反向电流（称为反向漏电流），称为反向阻断状态。 整流二极管具有明显的单向导电性。二极管是电路中不可缺少的元器件。九江美台二极管代理
按封装形式可分为常规封装二极管（玻璃封装二极管、塑料封装二极管、金属封装二极管）、特殊封装二极管和SMD封装二极管（也称表面贴装二极管）按用途不同可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、快恢复二极管、变容二极管、瞬态电压抑制二极管、恒流二极管、隔离二极管、双向触发二极管、肖特基二极管、光二极管发光二极管、隧道二极管、硅功率开关二极管、光电二极管等：根据电路的要求和电子器件的尺寸选择二极管的形状、尺寸和封装形式。电极管的形状、尺寸和包装形式多种多样。形状有圆形、方形、片状；尺寸包括小型、超小型和大型；封装形式有全塑封装、金属壳封装等，选择时可根据性能要求和使用条件选择合格的二极管。乐山盈胜微二极管代理二极管的反向击穿电压是一个重要参数。
稳压二极管又称齐纳二极管，是一种由硅材料制成的表面接触晶体二极管。 它是一种直到临界反向击穿电压为止都具有高电阻的半导体器件。 当稳压管发生反向击穿时，在一定的电流范围内（或一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。 因此，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 之中。 齐纳二极管根据击穿电压进行分类。 由于这一特性，齐纳二极管主要用作稳压器或电压基准元件。 齐纳二极管可以串联起来以在更高的电压下使用。 通过串联，可以获得更稳定的电压，称为双向齐纳二极管。
变容二极管 变容二极管是利用PN结电容随外加偏置电压变化的特性而制成的非线性电容元件。 广泛应用于参量放大器、电子调谐、倍频器等微波电路中。 瞬态电压抑制器TVS 专门用于ESD保护的固态二极管。 TVS二极管与被保护电路并联。 当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管就会发生雪崩，为瞬态电流提供通路，保护内部电路不被过电压击穿。 发光二极管采用磷化镓、砷化镓磷材料制成。 它们体积小，向前行驶时会发光。 工作电压低、工作电流小、发光均匀、寿命长，可发出红、黄、绿单色光。 肖特基二极管 基本原理是：在金属（如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成的肖特基用来阻挡反向电压。 肖特基结和PN结的整流原理有根本的区别。但不同类型的二极管正向压降不同。
为了保护数据接口电路，还必须注意选择电容c合适的TVS器件。 根据应用选择TVS的极性和封装结构。 交流电路选择双极性TVS比较合理； 选择TVS阵列进行多线保护更有优势。 温度考虑：瞬态电压抑制器可以在-55℃~150℃下工作。如果TVS需要在不同的温度下工作，其反向漏电流ID将会增加。 功耗随着 TVS 结温的升高而降低。 从25到175，线性下降约50%。 随着温度的升高，雨击穿电压VBR以一定的系数增加。 因此，有必要查阅相关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。二极管是一种常见的电子元器件。珠海晶导微二极管
二极管的引线可靠性较高， 不易受到外界因素的影响。九江美台二极管代理
晶体二极管： 也称为半导体二极管。 1947年由美国人发明。半导体二极管内部有一个PN结和两个端子。 本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅片、纯锗片等。 P型半导体：掺杂有产生空穴且价态较低的杂质的半导体，如本征半导体中在Si(4)中掺杂Al(3)的半导体。 N型半导体：掺杂有产生空穴且电价较低的杂质的半导体，例如本征半导体中的硅Si(4)中掺杂有磷P(5)的半导体。 当P型半导体和N型半导体接触时，产生独特的PN结界面，界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。九江美台二极管代理
