2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha多串锂电池保护IC、带均衡或者不带均衡。XB5350D0电源管理IC两串两节保护

上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势,但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端,因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中,还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势,所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价,这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501;近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商,为了降低成本,封装时原本打金线改成打铜线,开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异,但因为成本优势很快抢占了二级市场,也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。XS5308A电源管理IC磷酸铁锂充电管理锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。
普通的锂电池供电电子产品(如锂电池供电的超声波电动牙刷)都需要外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+控制芯片三个分立的控制电路芯片组合。普通的分立充电管理电路不能耐高压,不能支持无线充电,只能支持usb充电。普通的分立马达正反驱动电路没有过流保护功能,常规方案有三种方式: 3.1》采用外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+单片机控制芯片三个分立芯片组合的控制电路方案。 4.2》采用分立的器件搭建的无线充充电路+四个mos组成的电机正反转电路+单片机控制芯片 5.3》采用定制asic(集成电路),模式功能固定,不可更改。高耐压 OVP线性充电管理。

CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围2.7V到6V,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。XF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。XB4142电源管理ICNTC充电管理
高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。XB5350D0电源管理IC两串两节保护
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。XB5350D0电源管理IC两串两节保护
深圳市芯纳科技技术有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在广东省等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同深圳市芯纳科技技术供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!
xinnasemi专注于提供品质的锂电池保护IC以及二合一锂电保护IC,这些产品凭借其出色的性能,能够切实保障电池在各种应用场景下的安全性与稳定性。芯纳科技代理的XYSEMI/赛芯微涵盖了丰富多样的型号,诸如XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、...