二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。甘肃进口西门康SEMIKRON二极管
所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势,会击穿继电器的驱动三极管,为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路,以保护继电器驱动管。如图9-53所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路,电路中的J1是继电器,VD1是驱动管VT1的保护二极管,R1和C1构成继电器内部开关触点的消火花电路。1.电路工作原理分析继电器内部有一组线圈,如图9-54所示是等效电路,在继电器断电前,流过继电器线圈L1的电流方向为从上而下,在断电后线圈产生反向电动势阻碍这一电流变化,即产生一个从上而过的电流,见图中虚线所示。根据前面介绍的线圈两端反向电动势判别方法可知,反向电动势在线圈L1上的极性为下正上负,见图中所示。如表9-44所示是这一电路中保护二极管工作原理说明。表9-44保护二极管工作原理说明2.故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的保护二极管不能采用测量二极管两端直流电压降的方法来判断检测故障,也不能采用在路测量二极管正向和反向电阻的方法,因为这一二极管两端并联着继电器线圈,这圈的直流电阻很小,所以无法通过测量电压降的方法来判断二极管质量。应该采用代替检查的方法。当保护二极管开路时,对继电器电路工作状态没有大的影响。 广东进口西门康SEMIKRON二极管快恢复二极管是一种能快速从通态转变到关态的特殊晶体器件。
促使整流管加速老化,并被过早地击穿损坏。(3)运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏。(4)设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力干扰之下;同时由于发电机组转速时高时低,使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便地加速了整流管的老化、损坏。(5)整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成整流管击穿损坏。(6)整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小,使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。整流二极管代换编辑整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管。
整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。常用二极管的符号二极管结构整流二极管选用编辑1N4001外形尺寸整流二极管,图上有银色圈一端是负极整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。整流二极管特性编辑整流二极管是利用PN结的单向导电特性。 二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。
区域302和壁分离短距离d,其推荐地小于10nm,例如小于7nm。每个结构30进一步包括在沟槽中比区域302更低地延伸的电传导区域306。在图1所示的示例中,区域306从区域302延伸。换言之,区域302和306是单件。区域306例如位于比区域302更远离沟槽壁。区域302例如通过覆盖沟槽22的壁和底部的电介质层308与衬底10分离。层308的厚度例如大于约100nm,推荐地在从250nm到1000nm的范围内。结构30a包括与结构30相同的元件。然而,重要的是在二极管的外侧上不存在上文提到的短距离d。作为示例,层308于是在二极管的外侧上在区域302与沟槽壁之间继续。层308可以连接覆盖二极管的上的衬底的绝缘层44。作为示例,区域302和306由掺杂的多晶硅制成,并且层304和308由氧化硅制成。如下文在二极管10的特定情况下所讨论,由此获得的区域302和306在施加电势时能够对与层304和308接触的衬底部分施加不同的静电影响。特别地,区域302距离衬底越近,与层304接触的衬底部分上的静电影响越强。然后可以在与每个层304接触的衬底部分中形成晶体管t1,所考虑的区域302形成晶体管栅极。作为示例,晶体管t1具有n沟道。每个晶体管包括p型掺杂的沟道区域202(p)。作为示例。 此时它不需要外加电源,能够直接把光能变成电能。湖南哪里有西门康SEMIKRON二极管推荐货源
发光二极管芯片阵列固定在印刷电路板的一个面上。甘肃进口西门康SEMIKRON二极管
导致VT1管进入饱和状态,VT1可能会发烧,严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障,会导致VT1管基极直流偏置电压下降,三极管VT1直流工作电流减小,VT1管放大能力减小或进入截止状态。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后,它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变,正向电流愈大,正向电阻愈小;反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性,可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路,又称ALC电路(自动电平控制电路),它在磁性录音设备中(如卡座)的录音电路中经常应用。图9-43二极管构成的自动控制电路1.电路分析准备知识说明二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大,没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。二极管正向导通之后,它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小(相对反向电阻而言),但是如果增加正向电流,二极管导通后的正向电阻还会进一步下降,即正向电流愈大,正向电阻愈小,反之则大。不熟悉电路功能对电路工作原理很不利,在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。 甘肃进口西门康SEMIKRON二极管
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