钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解液)适合于制作大容量小体积的电容，但损耗也大。北京贴片钽电容
MLCC已成为应用较普遍的电容器，对一个国家电子信息产业的制造水平有着重大影响。MLCC的结构主要包括三部分：陶瓷介质、内电极和外电极。因此，在制造MLCC的过程中，我们可以选择不同材料的电介质和极板，以及连接极板的引线。即内部电极、外部电极、端子和介电材料。由于其内部结构，MLCC在英语听力和英语听力方面具有独特的优势。因此，陶瓷电容器具有更好的高频特性。MLCC电容特性：机械强度：硬而脆，这是陶瓷材料的机械强度特性。热脆性：MLCC的内应力非常复杂，因此它对温度冲击的抵抗力非常有限。北京贴片钽电容当铝电解电容在高温或潮热的环境中工作时，阳极引出箔片可能会由于遭受电化学腐蚀而断裂。
一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。
理想的高频和低阻抗特性：聚合物固体电解电容器具有极低的损耗和理想的高频低阻抗特性，广泛应用于去耦、滤波等电路，效果埋没，尤其是高频滤波效果较好。通过一个实验可以更直观、更清楚地看到，聚合物固体铝电解电容器的高频特性与普通电解电容器有明显的区别。在平滑电路的输入端叠加一个1MHz(峰间电压8V)的高频干扰信号，通过47uF的聚合物固体电解电容进行滤波，可以将噪声降低到只有30mV的峰间电压输出。要达到同样的滤波效果，需要并联4个1000uF的普通液体铝电解电容器或3个100UF的钽电容器。此外，在高频滤波效果更好的情况下，高分子聚合物固体铝电解电容器的体积明显小于普通型铝电解电容器。随着工艺不断提升，高分子聚合物固体铝电解电容器优势逐步显现。同时，价格也需要进一步优化。钽电容应用：通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表 。
陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。固态和液态电解电容，二者的本质区别在于介电材料的不同。扬州NPO电容批发
电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法）。北京贴片钽电容
根据经验，在电路的总电源原理图中，设计原理图时把这些电容画在一起，因为是同一个网络，而在设计实际PCB时，这些电容分别放在各自的ic上。电容越大，信号频率越高，电容的交流阻抗越小。电源(或信号)或多或少会叠加一些交流高频和低频信号，对系统不利。IC电源的引脚与地之间并联放置电容，一般是为了滤除对系统不利的交流信号。10uf和0.1uf的电容配合使用，使电源(或信号)对地的交流阻抗在很宽的频率范围内很小，这样可以更干净地滤除交流分量。北京贴片钽电容
