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    用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个肖特基二极管进行工作，通过肖特基二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。2、肖特基二极管的作用及其接法-开关肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。基本的开关电路如图所示，在这个电路中，肖特基二极管的两端分别通过电阻连接到Vcc和GND上，肖特基二极管处于反向偏置的状态，不会导通。通过C1点施加的交流电压就无法通过肖特基二极管，在C2后无法检测到交流成分。在这张图中，肖特基二极管的接法与上图相反。 二极管常见的功能是允许电流沿一个方向（称为二极管的正向）通过，而沿相反的方向（反向）阻止电流通过。天津哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    二极管的两根引脚分别称为阳极和阴极，由P型半导体一侧引出的电极称为阳极，由N型半导体一侧引出的电极称为阴极。在二极管符号中，三角形底边一端为阳极，另一端为阴极。符号形象地表示了二极管电流流动的方向，即电流只能从阳极流向阴极，而不允许反方向流动。二极管是将PN结封装起来，并分别引出电极制成的。所谓PN结是将半导体材料(硅或锗)利用特殊工艺制成P型半导体和N型半导体，并将这两块半导体用专门技术结合起来，在它们的交界面上就会形成一个称为PN结的特殊结构。这个PN结对来自两个方向的电流呈现不同的性质，在外加电压足够大时(一般约0．3～0．6V)，电流只能从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧)，反方向是不能导通的。二极管的电流、电压关系是指管内流过的电流与其两端所加电压之间的关系。对二极管施加正向电压和反向电压两种情况时，对应有二极管的导通状态和截止状态。1．正向偏置与导通状态二极管阳极接高电位，阴极接低电位，连接电路如图(a)所示，这种连接称为二极管的正向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小可以发现，当二极管VD两端正向电压较低时(小于0．5V)，电路中几乎没有电流，灯泡也不发光；当二极管两端正向电压大于0．5V后。 湖南代理艾赛斯IXYS二极管模块厂家直销在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    几安到几十安)，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为，硅管约为)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为，硅管约为)，称为二极管的“正向压降”。反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大。 变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 整流器、二极管的形式可用于诸如从无线电接收机中的无线电信号提取调制之类的任务。湖南代理艾赛斯IXYS二极管模块厂家直销

由于二极管具有非线性电流-电压特性，因此其行为可能比这种简单的开关动作更为复杂。天津哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约，不过肖特基二极管的电压降只有，因此可以提升系统的效率。肖特基二极管和一般整流二极管大的差异在于反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。一般整流二极管的反向恢复时间大约是数百nS，若是高速二极管则会低于一百nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于一般整流二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。 天津哪里有艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源