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Infineon英飞凌二极管基本参数
  • 品牌
  • 英飞凌
  • 型号
  • 二极管模块
Infineon英飞凌二极管企业商机

    他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样,所以这个过程叫avalanchemultiplication。反向击穿的另一个机制是,它能使粒子在不管有任何障碍存在时都能移动一小段距离。如果耗尽区足够薄,那么载流子就能靠tunneling跳跃过去。Tunneling电流主要取决于耗尽区宽度和结上的电压差。Tunneling引起的反向击穿称为齐纳击穿。结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽需要越高的击穿电压。就如先前讨论的一样,掺杂的越轻,耗尽区越宽,击穿电压越高。当击穿电压低于5伏时,耗尽区太薄了,主要是齐纳击穿。当击穿电压高于5伏时,主要是雪崩击穿。设计出的主要工作于反向导通的状态的PN二极管根据占主导地位的工作机制分别称为齐纳二极管或雪崩二极管。齐纳二极管的击穿电压低于5伏,而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。通常工程师们不管他们的工作原理都把他们称为齐纳管。因此主要靠雪崩击穿工作的7V齐纳管可能会使人迷惑不解。实际上,结的击穿电压不仅和它的掺杂特性有关还和它的几何形状有关。以上讨论分析了一种由两种均匀掺杂的半导体区域在一个平面相交的平面结。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。甘肃代理Infineon英飞凌二极管联系方式

    时至今能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等;随着技术的不断进步,发光二极管已被广地应用于显示器和照明。发光二极管工作原理编辑发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。发光二极管的部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)。 天津代理Infineon英飞凌二极管厂家供应平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大。

    导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为,锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为,锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。

    [6]发光二极管LED显示屏自20世纪80年代中期,就有单色和多色显示屏问世,起初是文字屏或动画屏。90年代初,电子计算机技术和集成电路技术的发展,使得LED显示屏的视频技术得以实现,电视图像直接上屏,特别是90年代中期,蓝色和绿色超高亮度LED研制成功并迅速投产,使室外屏的应用大扩展,面积在100—300m不等。目前LED显示屏在体育场馆、广场、会场甚至街道、商场都已广应用,美国时代广场上的纳斯达克全彩屏为闻名,该屏面积为120英尺×90英尺,相当于1005m,由1900万只超高亮蓝、绿、红色LED制成。此外,在证券行情屏、银行汇率屏、利率屏等方面应用也占较大比例,近期在高速公路、高架道路的信息屏方面也有较大的发展。发光二极管在这一领域的应用已成规模,形成新兴产业,且可期望有较稳定的增长。[6]发光二极管交通信号灯航标灯采用LED作光源已有多年,目前的工作是改进和完善。道路交通信号灯近几年来取得了长足的进步,技术发展较快,应用发展迅猛,我国目前每年有四万套左右的订单,而美国加州在去年一年内就用LED交通信号灯更换了五万套传统光源的信号灯,根据使用效果看,寿命长、省电和免维护效果是明显的。目前采用LED的发光峰值波长是红色630nm,黄色590nm。 二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极。

    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子。 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。甘肃代理Infineon英飞凌二极管联系方式

光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照。甘肃代理Infineon英飞凌二极管联系方式

    增加“二极管”Q2的一个好处是可以使Q2的正向电压和Q1的电压非常接近,因为流经这两者的电流几乎完全一样。要想获得与Q2匹配的佳电压,应使用与Q1同样的电阻器。另一个好处是两个电阻器具有相同的温度系数,使两者可以更准确地追踪彼此的正向电压。与Vbe变化相关的温度误差少,因为它们彼此相互抵消(VFB~Vout—VbeQ1+VbeQ2)。将Q1和Q2放在相邻的位置非常重要,因为这样两者就处于相同的温度下,如有可能,请使用双晶体管封装。图3:电平移位器用Q2抵消Q1相关的变化。图4的第3个示例显示带有一组电荷泵级的升压转化器,每级“n”向总输出增加近似“V1”,得到结果“Vn+1”。图4:电荷泵二极管压降可以相互抵消。总输出电压的近似值为:在公式(1)中,可以看出Vn+1很大程度上由n的倍数决定,但受到二级管正向压降相关的“误差项”和电荷泵转换电容纹波电压的影响,会有所减少。假设所有二极管都是相同类型的,那么它们的正向电压等于:VD1=VDa=VDb,得出公式(2):公式(2)中,右边的“误差项”使输出电压低于理想的n+1倍。要改进这点,VDa和VDb使用肖特基二极管,而VD1使用传统二极管,正向电压降等于:VDa=VDb=VD1/2,得出公式(3):从公式(3)可以看出。 甘肃代理Infineon英飞凌二极管联系方式

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