可控硅模块的用途
可控硅模块具有硅整流器件的特性,相当于或类似于可控制的单向(或双向)二极管,利用其可控功能,实现了弱电流对强电的控制。此外,晶闸管具有体积小、结构简单、功能强、重量轻、效率高、控制灵活等优点。晶闸管可用于下列过程:
1、可控整流:将交流电转换成可调直流电;
2、逆变器:将直流电转换成交流电;
3、变频:将一个频率的交流电转换为另一个频率的交流电或可调频率的交流电;
4、交流调压:将固定交流电压转换为有效值可调的交流电压;
5、斩波:将固定直流电压转换为平均可调直流电压;
6、无触点通断:用无触点开关代替交流接触器实现开关控制。 淄博正高电气有限公司拥有先进的产品生产设备,雄厚的技术力量。济宁双向可控硅模块哪家好
可控硅模块的出现已经历史悠久,它的出现也帮助人们解决了很多难题,凭借它的优势,使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎,下面正高来详细的说下可控硅模块。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。 北京高压可控硅模块组件淄博正高电气有限公司通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化
可控硅模块在应用电路中的作用体现在:
可控整流器:如二极管整流器,交流整流器整流为直流,在交流电压不变的情况下,可有效控制直流输出电压,实现交流/直流的转换。
无触点电源静态开关(固态开关):晶闸管模块作为电源开关元件,可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。
因此,可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中,如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域,如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。
可控硅模块规格的选择方法:考虑到可控硅产品一般为非正弦电流,存在导通角问题,负载电流存在一些波动和不稳定因素,晶闸管芯片抗电流冲击能力差,在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。
推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U∕U实际
K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;
I负载:负载流过的强大电流; U实际:负载上的小电压;
U强大 模块能输出的强大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);
I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。济宁双向可控硅模块哪家好
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可控硅元件在电气设备中发挥重大作用,但可控硅使用中必须要注意运行环境和相关指标,防止可控硅损坏而影响到设备的正常使用。对此,在选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。
3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
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