XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D E36L DGHG DGHG 7KFG 7KFD E50H E50A E50G b6w 70JC DHJB D4JD D4JF DFJG L30H DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BVBUS 输出短路时,自动关闭放电通路。XB4733A电源管理IC赛芯微代理
DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,DS3056B实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。如果降低功率仍然无法抑制过温,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时,自动关闭充电通路。XF5131电源管理IC芯纳科技DS6066-2S-30W+DC方案:可用于空调服、加热服及其他外部DC供电应用。
主要参数:针对磷酸铁锂电芯,充电电压3.6V,充电电流可达900mA,耐压30V,OVP=6.8V,采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外,XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻,并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V,充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时,XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源(墙上适配器或 USB 电源)被移除时,XC3098VYP 系列自动进入低电流状态,将电池漏电流降至 2uA 以下。
保护板对单一电芯保护时,保护板设计会相对简单,技术性较高的地方在于,比如对动力电池保护板设计需要注意的电压平台问题,动力电池在使用中往往被要求很大的平台电压,所以设计保护板时尽量使保护板不影响电芯放电的电压,这样对控制IC,精密电阻等元件的要求就会很高,一般国产IC能满足大多数产品要求,特殊可以采用进口产品,电流采样电阻则需要使用JEPSUN捷比信电阻,以满足高精密度,低温度系数,无感等要求。对多电芯保护板设计,则有更高的技术要求,按照不同的需要,设计复杂程度各不相同的产品。 主要技术功能: 1、过充保护 2、过放保护 3、过流、短路保护 手机电池启动保护后的解决方法(来源于网络): 1、用原配的直冲在手机上直接充电,会把电池保护板的保护电路自动冲开。 2、把电池的正负极瞬间短路,看到电极片上有火花就行了,多试几次,然后再用直充充电。 3、找个5V的直流电,用正负极轻触电池的正负极,多试几次,再用原充电器充。锂电池保护芯片的作用。
按工作原理分类:
线性稳压器:线性稳压器是一种通过调整电源输入和输出之间的电压差来实现稳定输出电压的IC。它具有简单、稳定的特点,但效率较低。开关稳压器:开关稳压器是一种通过开关元件(如MOSFET)来控制电源输入和输出之间的电压和电流的IC。它具有高效率和较小的尺寸,但设计和调试较为复杂。
电源管理IC在现代电子设备中起着至关重要的作用,它们可以提供稳定的电源供应,实现电源的开关、调节和保护等功能。随着电子设备的不断发展和进步,电源管理IC也在不断创新和改进,以满足不同应用领域的需求。 DS5035B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。XB4733A电源管理IC赛芯微代理
充电管理、放电保护芯片,电源正负极反接保护,电池极反接保护,兼容大小3mA-1000mA充电电流。XB4733A电源管理IC赛芯微代理
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路); IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。XB4733A电源管理IC赛芯微代理
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气...