企业商机
电源管理IC基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 电源管理
  • 封装形式
  • DFN/SOP/SOT
  • 集成度
  • 大规模(100~10000)
  • 类型
  • 稳压IC,通信IC,时钟计时IC,驱动IC,其他IC
  • 应用领域
  • 3C数码,汽车电子,可穿戴设备,照明电子,智能家居,玩具,五金工具,物联网IoT,医疗电子
电源管理IC企业商机

赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管,与传统方案的负极保护原理一致,保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案,无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声,建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容,如图5所示。正极保护IC、的锂电池保护方案。XB5350D0电源管理IC上海如韵

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磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中,LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4,在放电过程中,锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。 电池充电时,锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面,在电场力的作用下,进入电解液,然后穿过隔膜,再经电解液迁移到石墨晶体的表面,而后嵌入石墨晶格中。 与此同时,电子经导电体流向正极的铝箔集电极,经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体,再经导电体流到石墨负极,使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后,磷酸铁锂转化成磷酸铁。 电池放电时,锂离子从石墨晶体中脱嵌出来,进入电解液,然后穿过隔膜,经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面,然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。 与此同时,电子经导电体流向负极的铜箔集电极,经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体,再经导电体流到磷酸铁锂正极,使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后,磷酸铁转化为磷酸铁锂。XM5151ADJ根据接入设备的功率请求,自动匹配极限的电压和电流输出。

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DS2730 集成了双路 USB Type-C 接口、PD PHY 以及协议层解析功能,支持设备插拔自动检测和设备类型的识别,兼容 PD、QC、SCP、FCP、AFC、APPLE 2.4A、BC1.2 DCP 等主流的快充协议。根据接入设备的功率请求,自动匹配较好的电压和电流输出。内置的同步降压变换器,支持上限 1MHz 的开关频率和线补功能,即使在大电流负载条件下,仍然可以实现很低的输出纹波。为了补偿因负载电流在线缆上产生的线压降,DS2730 集成了输出线补功能,从而保障了即使在重载条件下仍然可以实现稳定的电压输出。

深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源控制技术,主要面向智能快充,储能和工业电源领域,提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年,总部设立在深圳,同时在成都设有研发中心。骨干研发团队来自国内外前列半导体公司,拥有多位海归大厂技术骨干,都拥有着10年以上的芯片开发经验,拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC,帮助客户实现产品升级,受到客户的高度认可。点思半导体秉承着为客户提供质量产品的理念,立志成为国内前列的数模混合芯片设计公司。从业20年的市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。支持自动识别电源的快充模式,匹配合适的充电电压和充电电流。

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DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测应用系统中关键元件的温度,并根据温度动态调整输出功率。实际应用中,NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近,例如,芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻,可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号(例如,负载电流),高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号(例如,输出电压),并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。30V耐压带OVP高耐压线性充电管理。XM5082ADJ电源管理IC磷酸铁锂充电管理

目前市场上主流应用于空调服和加热服,此类应用主要帮助户外工作者保持一个舒服的状态。XB5350D0电源管理IC上海如韵

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XB5350D0电源管理IC上海如韵

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