重庆跨阻光电采集卡

光电耦合器按作用方式可分为两类：一类是通过对发射光和接受光的作用来实现信号的转换；另一类的作用是直接把电能转换成光了（称为全向开关）。（1）半导体光电转换器：包括红外探测器及相应的调制解调系统。红外线探测器用来感受周围环境的热量，并将此信息转化为相应频率的无线电波发送出去；调制解调系统则是根据所收到的无线电台发出的指令来进行解码还原成原来的文字内容再传送给使用者。（2）全方向性发射器/收发两用器：这是一种集成的多功能仪器，它可以发出可见光也可吸收不可见的紫外线或其他射线并将其转化成可利用的能源。重庆紫外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆跨阻光电采集卡

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里，SNR是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。广州全波段光电生产厂家成都紫外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电二极管的速度（带宽）通常受到电气参数（电容和外部电阻）或内部效应的限制，如耗竭区的载流子传输时间。(在某些情况下，耗尽区外产生的载流子的相对缓慢的扩散限制了带宽）。几十千兆赫的带宽通常是通过小的有源区（直径远低于1毫米）和小的吸收体积实现的。这种小面积的有源器件仍然是实用的，特别是对于光纤耦合器件，但它们将可实现的光电流限制在1毫安或更少，对应的光功率为≈2毫瓦或更少。更高的光电流实际上对抑制射出噪声和热噪声是可取的。(更高的光电流在值上会增加射出噪声，但相对于信号来说会减少它）。较大的有源区（直径可达1厘米）允许处理较大的光束和更高的光电流，但代价是速度较低。高带宽（几十千兆赫）和高光电流（几十毫安培）的组合是在速度匹配的光电探测器中实现的，它包含几个小面积的光电探测器，它们与光波导弱耦合并将其光电流输送到一个共同的射频波导结构中。

为了在千兆赫兹区域获得特别高的检测带宽，需要使用先进的光电二极管设计。例如，一些器件在薄的吸收部分周围包含一个光学谐振器。通过这种方式，人们可以实现有效的吸收，从而获得高的量子效率，尽管本征区的厚度相当小，这是为减少漂移时间所选择的。所谓的波导光电二极管包含一个光波导，它将光沿着其路径限制在吸收区。然后，该区域可以再次非常薄，尽管如此，人们可以在很短的长度内获得有效的吸收。通过限度地减少有源区的长度，我们也可以限度地减少电容量，并达到一个非常高的带宽。在某些情况下，电极结构被制作成形成一个电波导，其中电波可以与光波导中的光波平行传播。这种行波光电二极管的带宽可以达到远远超过100GHz。四川电流电压转换光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透p+区域时，它会在电阻极大的p区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到pn+区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。四川低速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都射频光电信息

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雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的，其结构为PPNN，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。重庆跨阻光电采集卡