向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先,如上一篇文章所述,较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此,当您想要产生与照度相关的更多输出信号时,光电导模式是一个不错的选择。其次,较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中,反馈电阻和结电容(以及其他电容源)的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样,减小电容会增加截止频率。因此,光电导模式允许更宽的带宽,并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量,您可以使用光电导模式,然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住,更多的反向偏压也会增加暗电流。广州IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州多功能光电放大器
雪崩光电二极管的主要用途是破坏,电缆,插头,光纤终端,通讯电缆等,通过它可以快速捕捉和抑制电缆,插头和光纤终端等容易破坏电路中的脉冲,从而保护电路信号的完整性。此外,由于其高速特性,雪崩光电二极管也可以应用于高速连接器和网络设备领域,可以帮助提高设备的性能。它具有较高的电压可编辑性,能够满足不同的应用要求,并可以在不同的系统中使用,从而极大降低成本。因此,它非常适用于PC端的低成本应用。综上所述,雪崩光电二极管具有简单的电路结构,高速、高抗干扰性能,自动的跳闸功能和低成本,在承受高速脉冲信号方面表现特别出色,是一种普遍使用的PC端特殊光电探测器。绵阳索雷博光电管西安跨阻光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。
影响光电二极管系统的主要非理想情况称为暗电流,因为即使没有照明,电流也会流过光电二极管。流过二极管的总电流是暗电流和光电流的总和。如果这些强度产生的光电流大小与暗电流的大小相似,则暗电流将限制系统准确测量低光强度的能力。这种运算放大器电路称为跨阻放大器(TIA)。它专门用于将电流信号转换为电压信号,电流电压比由反馈电阻RF的值决定。运算放大器的同相输入端接地,如果我们应用虚拟短路假设,我们知道反相输入端将始终处于大约0V。因此,光电二极管的阴极和阳极都保持在0V。我不相信“光伏”是这种基于运算放大器的实现的完全准确的名称。我不认为光电二极管的功能类似于通过光伏效应产生电压的太阳能电池。但是“光伏”是公认的术语,不管我喜不喜欢。“零偏置模式”更好,我认为,因为我们可以在光伏或光电导模式下使用相同的TIA和光电二极管,因此没有反向偏置电压是显着的区别因素。
为了在千兆赫兹区域获得特别高的检测带宽,需要使用先进的光电二极管设计。例如,一些器件在薄的吸收部分周围包含一个光学谐振器。通过这种方式,人们可以实现有效的吸收,从而获得高的量子效率,尽管本征区的厚度相当小,这是为减少漂移时间所选择的。所谓的波导光电二极管包含一个光波导,它将光沿着其路径限制在吸收区。然后,该区域可以再次非常薄,尽管如此,人们可以在很短的长度内获得有效的吸收。通过限度地减少有源区的长度,我们也可以限度地减少电容量,并达到一个非常高的带宽。在某些情况下,电极结构被制作成形成一个电波导,其中电波可以与光波导中的光波平行传播。这种行波光电二极管的带宽可以达到远远超过100GHz。西安纳秒光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。
在光学传感领域,光电二极管已经成为一项突破性的技术,彻底改变了各个行业。这些小而强大的设备在捕获光并将其转换为电信号方面发挥了重要作用,从而实现了广泛的应用。随着光电二极管技术的进步,对其未来的变革潜力感到兴奋。在本文中,我们将深入研究光电二极管技术的突破及其将产生的重大影响。传统上,光电二极管以其出色的灵敏度和响应性而闻名,使其成为各种行业中光探测的理想选择。然而,近的进展进一步推动了这一界限。研究人员开发了创新技术来提高光电二极管的量子效率和光谱响应,从而提高灵敏度和更准确的信号检测。这一突破为需要精确光学传感的应用带来了巨大的希望,例如生物医学设备和环境监测系统。绵阳微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳纳安光电模块
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光电二极管是经常使用的光电探测器,它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件,通常在n层和p层之间还有一个内在(未掺杂)层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对,其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内,光电流可以相当精确地与吸收(或入射)的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域,大部分的电载流子在这里产生。通过电接触(阳极和阴极),可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形,这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得,但这往往会增加电容,从而降低检测带宽,并增加暗电流;另外,如果产生的载流子离电极太远,效率可能会下降。广州多功能光电放大器