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晶振基本参数
  • 品牌
  • 华昕
  • 型号
  • 晶振全品类
  • 频率特性
  • 高频,低频
  • 封装材料
  • 金属,陶瓷
  • 外形
  • 贴片式,直插式
  • 标称频率
  • 1~200
  • 调整频差
  • 1~200
  • 基准温度
  • -40~+85
  • 负载电容
  • 6pf~20pf
  • 静态电容
  • 3
  • 老化率
  • 2
  • 温度范围
  • -40~+85
  • 产地
  • 中国
  • 厂家
  • 华昕
  • 封装尺寸
  • 1612/2016/2520/3225/5032/7050
晶振企业商机

常见的晶振封装类型主要有以下几种:

直插式封装(DIP):这是一种双列直插式封装,具有引脚数量较多、易于插拔、便于手工焊接等特点。

DIP封装的晶振直径一般为5mm左右,引出引脚数量一般为2~4个,适用于一些简单的电路设计。其优点包括制造成本低、适用性多样、安装方便等,但不适用于高频电路设计,空间占用较大。

贴片式封装(SMD):这是一种表面贴装型封装,具有尺寸小、重量轻、安装密度高、抗干扰能力强等特点。SMD封装的晶振直径一般为3.2mm左右,引出引脚数量一般为4~6个,适用于一些复杂的电路设计和高频领域。其优点包括空间占用小、适用于高频电路设计、抗干扰能力强等,但安装困难、制造成本较高。

还有表贴式封装,这是一种小型化、高可靠性的封装形式,具有体积小、重量轻、成本低等优点,适合于高密度安装和表面安装。但需要注意的是,这种封装形式的可靠性要求较高,需要进行严格的检测和筛选。

还有VCXO(Voltage-ControlledCrystalOscillator,压控晶体振荡器)封装和TCXO(温度补偿晶体振荡器)封装等类型,它们分别具有通过调整电压来改变晶振频率和随着温度的变化保持稳定的频率特性等特点,适用于特定的应用场合。 晶振在电路中的作用是什么?4M晶振原理

4M晶振原理,晶振

晶振的精度对电路的时序有着直接且明显的影响。晶振作为电路中的时钟源,为电路中的各个部分提供基准频率,确保它们能够按照正确的时序进行工作。首先,晶振的精度决定了电路中的时钟信号的准确度。时钟信号是电路时序控制的基础,它决定了电路中各个部分的工作节奏。如果晶振的精度不高,时钟信号就会产生偏差,导致电路中的时序控制出现误差。这种误差可能表现为数据传输的延迟、信号处理的错乱等问题,严重影响电路的性能和稳定性。其次,晶振的精度还会影响电路的时序裕量。时序裕量是指电路在时序控制上允许的比较大偏差范围。如果晶振的精度较低,那么电路的时序裕量就会减小,电路对时序误差的容忍度就会降低。这可能导致电路在受到一些微小的干扰或变化时,就无法正常工作,降低了电路的可靠性和稳定性。因此,在选择晶振时,需要根据电路的时序要求来选择合适的晶振精度。对于需要高精度时序控制的电路,如高速通信、实时控制等应用,应选择高精度的晶振来确保电路的稳定性和可靠性。山西32.768KHZ晶振晶振的型号含义,晶振型号大全。

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晶振的制造过程主要包括以下几个关键步骤:原材料准备:晶振的关键组件是石英晶片,首先需要准备原始的石英晶体材料。晶片切割:将选取好的石英材料进行高精度的切割,以得到符合设计要求的晶片。这一步骤需要严格控制晶片的尺寸、形状和厚度等参数。清洗与镀膜:在制造过程中,晶片需要进行清洗以去除表面的杂质。随后,采用溅射或其他方法在晶片表面镀膜,通常是金属薄膜如银,以形成电极。电极制作:在晶片的两面制作电极,电极用于施加电压以激发石英晶体的压电效应。点胶与烘胶:在晶片的特定位置上涂抹胶水,以固定晶片和其他组件的连接。然后,将点胶后的晶片进行烘烤,以加快胶水的固化和固定连接。频率微调:调整晶振的振荡频率,使其达到设计要求。这一步骤可能需要多次迭代以获得比较好频率。封装:将制作好的晶片放置在适当的封装材料中,以保护晶片并提供机械支撑。封装过程中需要确保晶片与封装材料之间的热膨胀系数匹配,以防止温度变化引起的应力损伤。以上步骤完成后,晶振就制造完成了。

晶振的驱动电平和功耗是晶振性能的两个重要参数,但它们的具体数值会因晶振的型号、规格和应用场景的不同而有所差异。驱动电平是指为晶振提供正常工作所需的电压或电流水平。合适的驱动电平可以确保晶振的稳定性和频率精度。驱动电平过高可能会导致晶振过热或损坏,而驱动电平过低则可能使晶振无法正常工作。因此,在选择和使用晶振时,需要根据具体的规格和应用需求来确定合适的驱动电平。功耗则是指晶振在工作过程中消耗的电能。晶振的功耗主要包括静态功耗和动态功耗两部分。静态功耗是晶振在静止状态下消耗的电能,主要由晶体的固有损耗和电路中的静态电流引起。动态功耗则是晶振在振荡过程中消耗的电能,与晶振的振荡频率和电路中的动态电流有关。一般来说,晶振的功耗较低,以毫瓦(mW)为单位。但在一些低功耗的应用场景中,如移动设备、物联网设备等,对晶振的功耗要求会更加严格。需要注意的是,晶振的驱动电平和功耗并不是固定不变的,它们会受到环境温度、电源电压和负载电容等因素的影响而发生变化。因此,在实际应用中,需要根据具体的应用场景和条件来选择合适的晶振,并进行相应的测试和校准。晶振在微处理器中的应用有哪些?

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晶振在时钟同步电路中的关键作用是为电路提供稳定的时钟信号。时钟信号是电子设备中至关重要的信号之一,它确保了各个电路模块能够按照精确的时间序列进行操作。具体来说,晶振利用压电效应,通过晶体材料的振荡产生稳定的频率。这个频率经过电路处理后被转化为一个稳定的方波信号,即时钟信号。时钟信号的频率通常以赫兹(Hz)为单位表示,常见的频率有几十兆赫兹(MHz)或更高。在时钟同步电路中,晶振产生的时钟信号被用作基准信号。其他电路模块或设备根据这个基准信号来调整自己的工作时序,从而实现同步。例如,在微处理器中,晶振产生的时钟信号被用来驱动处理器的指令执行和数据传输。如果时钟信号不稳定,处理器的工作时序将会出现混乱,导致计算错误或系统崩溃。此外,晶振还具有高频率精度和高稳定性的特点。这些特点使得晶振能够在各种环境条件下提供稳定的时钟信号,从而确保电路的稳定性和可靠性。因此,在需要高精度时钟同步的应用中,如网络通信、音视频处理等,晶振发挥着不可替代的作用。晶振的精度和稳定性如何提高?山西32.768KHZ晶振

不同等级的晶振型号、频率范围介绍。4M晶振原理

晶振的规格书通常包含以下重要信息:产品型号与描述:明确标出晶振的型号,同时给出简短的描述,包括其应用领域或特定用途。频率参数:详细列出晶振的标称频率(Nominal Frequency)及其允许的误差范围(如±ppm值)。这是晶振**基本且关键的性能指标。频率稳定度:描述晶振在特定时间或温度变化下的频率变化范围,通常以ppm或ppb为单位。温度范围:指定晶振可以正常工作的温度范围,包括工作温度范围和存储温度范围。负载电容:标明晶振可以驱动的负载电容值,这是确保晶振正常工作的关键参数。供电电压:明确列出晶振的工作电压范围及工作电流,这关系到晶振的稳定性和可靠性。封装形式与尺寸:说明晶振的封装类型(如SMD、DIP等)及其具体的尺寸参数,以便于在电路板上进行布局和安装。其他特性:可能包括相位噪声、老化率、抗冲击能力等其他重要性能指标。测试条件:描述测试晶振性能时所使用的条件,如测试温度、湿度等,以便于用户理解和比较不同产品间的性能差异。使用注意事项:给出在使用晶振时需要注意的事项,以避免不当使用导致的产品损坏或性能下降。4M晶振原理

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晶振的温漂(温度系数)是指晶振的振荡频率随着温度的变化而发生偏移的现象。具体来说,当环境温度发生变化时,晶振的频率会随之产生微小的变化,这种变化量相对于温度变化的比例即为晶振的温度系数。温度系数是衡量晶振频率稳定性随温度变化程度的重要指标。一般来说,温度系数越小,晶振的频率稳定性就越好,即在不同温度下,晶振的频率偏移量越小。反之,温度系数越大,晶振的频率稳定性就越差。晶振的温漂现象是由石英晶体的物理特性所决定的。石英晶体的谐振频率会受到环境温度的影响,随着温度的升高或降低,晶体的内部结构会发生变化,从而导致谐振频率的偏移。这种偏移量的大小与晶体的切型、切角、尺寸、材料等因素密切相关。在实际应用...

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