反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿,另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。二极管的结构简单,由两个电极组成,易于使用和维护。广州整流二极管厂家精选
早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。正向性,外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。佛山整流二极管检查方法在数字电路中,二极管可用作逻辑门电路的组成部分,实现逻辑运算。
二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时,应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压,否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型,P表示普通管用字母表示器件的材料,A表示N型Ge.B表示P型Ge,C表示N型Si,D表示P型Si 2表示二极管,3表示三极管。普通二极管(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管工作原理(正向导电,反向不导电),晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。二极管作为电子元器件的重要一员,其发展和应用推动了电子技术的进步。
二极管的功能,二极管的主要功能是将交流电转换为直流电,也可作为整流器、限流器、稳压器等电路中的关键元件。另外,二极管还可用于振荡电路、开关电路、放大电路等电路中,起到重要的作用。二极管的作用,整流:二极管可以将交流电转换为直流电,实现整流功能。当正向电压施加在二极管上时,电流可以自由通过,而当反向电压施加在二极管上时,二极管则处于截止状态,阻止电流通过。原理就是两个管子分别导通,首先,是正半周期D2,D3工作,然后,是负半周期D1,D4工作。二极管还可用作开关,通过控制正向或反向电压,实现电路的开闭。中山开关二极管市价
二极管还可用于电子系统中的保护电路,防止过电压损坏其他元件。广州整流二极管厂家精选
反向偏置(Reverse Bias),在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为反向偏置。这种情况下,因为N型区域被注入空穴,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合部位的耗尽层变得更宽,内部的静电场也更强,扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销,让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态,也会有微小的反向电流(漏电流、漂移电流)通过。当反向偏置持续增加时,还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ,发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的(反向)电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 ( 崩溃区 )。在击穿区内,电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成,可以作为电压源使用。广州整流二极管厂家精选