过电压会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。
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可控硅模块属于电气元器件,目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件,它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的,使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。
双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第 1和第 3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 泰安反并联可控硅模块供应商淄博正高电气有限公司通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。
选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
1.可控硅模块的冷却及环境条件:
(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;
(4)空气相对湿度≤85%;
(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;
(6)气压86—106Kpa;
(7)无剧烈震动或冲击;
(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。
单向可控硅的检测
万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司是多层次的组织与管理模式。
可控硅模块的分类:
1、以关断、导通及控制方式来分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
2、以引脚和极性来分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
3、以封装形式来分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
4、以电流容量来分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
5、以关断速度来分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
6、过零触发,一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅参数介绍
7、非过零触发,无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发。
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您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?
可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。
接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:
1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。
2.增加负载电路中的电阻。
以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您 甘肃大功率可控硅模块报价
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