企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

阶跃二极管,阶跃二极管一种特殊的变容管,又称为阶跃恢复二极管或电荷存储二极管,简称阶跃管,英文名称为Step-Recovary Diode,它具有高度非线性的电抗,应用于倍频器时代独有的特点,利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波,可获得高效率的高次倍频,它是微波领域中优良的倍频元件。旋转二极管,旋转二极管主要用于无刷励磁电机,它实际上就是一个整流二极管,在工作的时候跟着发动机一起旋转,所以被称为旋转二极管。旋转二极管的作用就是把励磁机的交流电压整流为直流电压,通过发动机的大轴,把这个直流电压加到发电机的励磁线圈上,然后通过励磁屏的调整来获得一个理想的励磁电流。二极管的反向漏电流应尽量小。江门锗管二极管供应商

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工作原理:晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。东莞续流二极管市价快恢复二极管在开关电源中应用普遍,具有快速恢复、低反向峰值电流和低反向漏电流等特点。

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在较初被发明的那个年代,二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后,威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ,是从希腊语词根( δί ,di,“二”)和( ὁδός ,ode,“路径”)两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用,但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全波整流”设备;或者是阴极射线管所需的高压电续流二极管。热离子二极管,一个热离子二极管就是一个真空管(也称“电子管”),由一个包含着两个电极的密封真空玻璃壳组成:由灯丝加热的阴极,和一个阳极。早期产品的外观和现在的白炽灯泡相当类似。

在1884年,爱迪生被授予了此项发明的专业技术。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值,这项专业技术更多地是为了防止别人声称较早发现了这一所谓“爱迪生效应”。20年后,约翰·弗莱明(爱迪生前雇员)发现了这一效应的实用价值,它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日,头一个真正的热离子二极管——弗莱明管,由弗莱明在英国申请了专业技术。1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩发现了晶体的“单向传导”的能力 ,并在1899年将晶体整流器申请了专业技术 [9] 。氧化亚铜和硒整流器则是在1930年代为了供电应用而发明的。二极管是一种电子器件,具有单向导电性,可用于整流、开关和信号调节等应用。

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面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体(如本征硅)的一端成为一个包含负极性载流子(电子)的区域,称作N型半导体;另一端成为一个包含正极性载流子(空穴)的区域,称作P型半导体。两种材料在一起时,电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销,造成中间区域载流子不足,形成“耗尽层”。在耗尽层内部存在“内电场”:N型侧带正电,P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结,晶体允许电子(外部来看)从N型半导体一端,流向P型半导体一端,但是不能反向流动。二极管的结构简单,由两个电极组成,易于使用和维护。江门收音机二极管厂家供应

二极管采用PN结构,正向偏置时电子和空穴结合,反向偏置时形成势垒,导致电流很小。江门锗管二极管供应商

二极管的分类:一、按半导体材料分类,二极管按其使用的材料可分为锗(Ge)二极管、硅(Si)二极管、砷化镓(GaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管等。二、按封装形式分类,二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。三、按结构分类,半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:合金型二极管,在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。江门锗管二极管供应商

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