晶闸管模块的类型
晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
根据封装工艺的不同,晶闸管模块可分为焊接型和压型两种。
晶闸管模块可分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX);普通整流模块(MDC);普通晶闸管、整流混合模块(MFC);快速晶闸管、整流混合模块(MKC\MZC);非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(通常称为电焊机**模块MTG\MDG);三相整流桥输出晶闸管模块(MDS);单相(三相)整流桥模块(MDQ);单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)。 正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。南京三相整流调压模块
漏电流:指加一半标称直流电压时测得的流过压敏电阻的电流。由于压敏电阻的通流容量大,残压低,过电压能力强;平时漏电流小,放电后不会有续流,元件的标称电压等级多,便于用户选择;伏安特性是对称的,可用于交、直流或正负浪涌;因此用途较广。2、过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,**终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。晶闸管过电流保护方法**常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。南京可控硅集成调压模块价格正高电气材料竭诚为您服务,期待与您的合作!
晶闸管模块的工作原理
在晶闸管模块T的工作过程中,晶闸管模块的阳极A和阴极K与电源和负载相连,构成晶闸管模块的主电路。晶闸管模块的栅极G和阴极K与控制可控硅的装置相连,形成晶闸管模块的控制电路。
从晶闸管模块的内部分析工作过程:
晶闸管模块是一种四层三端器件。它有J1、J2和J3的三个pn结图。中间的NP可分为PNP型三极管和NPN型三极管两部分。
当晶闸管模块承载正向阳极电压时,为了制造晶闸管模块导体铜,承受反向电压的pn结J2必须失去其阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时是另一个晶体管的基极电流。因此,当有足够的栅极电流Ig流入时,两个复合晶体管电路会形成较强的正反馈,从而导致两个晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。
晶闸管模块的工作条件:
1.当晶闸管模块承受正向阳极电压时,只有在门级承受正向电压时,晶闸管才打开。此时,晶闸管处于正导通状态,这就是晶闸管的晶闸管特性,即可控特性。
2.晶闸管模块开着时,只要有一定的正极电压,不管门级电压是多少,晶闸管都继续工作,即晶闸管接通后,门级就失去了功能。门级只会起到触发的作用。
3.当主电路电压(或电流)降至接近零时,当主电路电压(或电流)降为零时,晶闸管模块被关闭。
4.当晶闸管模块承受反向阳极电压时,无论门级承受何种电压,晶闸管都处于反向闭锁状态。在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。 正高电气以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。
1、过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护作用的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。公司生产工艺得到了长足的发展,优良的品质使我们的产品****各地。南京可控硅集成调压模块价格
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