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4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。电流采样，连接 USB-C口采样电阻的正端。XM5021R18电源管理IC拓微电子

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XC3108RA电源管理IC赛芯微代理单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。

DS5035B单串+无线充方案：单串22.5+无线充。DS5035B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5035B单串+无线充方案：单串电池，22.5W功率，支持CA+W输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。

DS6036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS6036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。集成了输出线补功能，从而保障了即使在重载条件下仍然可以实现稳定的电压输出。

同步 异步 指的是芯片的整流方式！一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管，由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。支持设置电池的初始化容量，利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。电池充管理芯片磷酸铁锂

锂电保护（带船运，XBL6015-SM,DFN1*1）。XM5021R18电源管理IC拓微电子

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。

过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。

过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。

过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。

短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时，自动关闭放电通路。 XM5021R18电源管理IC拓微电子