电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

MLCC(多层陶瓷电容器)是片式多层陶瓷电容器的缩写。它是由印刷电极(内电极)交错叠放的陶瓷介质膜片组成,然后通过一次高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片两端密封金属层(外电极),从而形成单片结构,也称单片电容器。电容的定义:电容的本质两个相互靠近的导体,中间夹着一层不导电的绝缘介质,构成一个电容器。当在电容器的两个极板之间施加电压时,电容器将存储电荷。电容大小:电容器的电容在数值上等于一块导电板上的电荷量与两块板之间的电压之比。电容器电容的基本单位是法拉(f)。在电路图中,字母C通常用来表示容性元件。有三种方法可以增大电容:使用高介电常数的介质。增加板间面积。减小板间距离。电容作为基本元器件之一,实际生产的电容都不是理想的,会有寄生电感,等效串联电阻存在。无锡滤波电容

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MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,片式电容器也以惊人的速度向前发展,每年以10%~15%的速度递增。目前,世界片式电容的需求量在2000亿支以上,70%出自日本(如MLCC大厂村田muRata),其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,普遍地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。北京射频电容生产厂家电容的本质:两个相互靠近的导体,中间夹一层不导电的绝缘介质,这就构成了电容器。

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铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂,导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下,工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜,从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷,使填充修复工作不完善,阳极氧化膜上会留下微孔,甚至可能成为通孔,使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷,后续铆接工艺不好时,引出箔上的毛刺刺破氧化膜,这些刺破的部位漏电流很大,局部过热导致电容产生热击穿。

I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准,是C0G(数字0,不是字母O,部分文件笔误COG)或NP0(数字0,不是字母O,部分文件笔误NPO),以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/),极其稳定,温度系数极低,不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下,1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。

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电容允许偏差:这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过,顾名思义,这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为:J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压:在电路中能长时间稳定、可靠地工作,并能承受较大直流电压,也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件,耐压越高,体积越大。损耗:贴片陶瓷电容在电场的作用下,由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识,想要了解更多电容相关咨询的,可关注江苏芯声微电子科技。陶瓷电容容量从0.5pF起步,可以做到100uF,并且根据电容封装(尺寸)的不同,容量也会不同。常州贴片电解电容批发

电容两极间的绝缘材料,介电常数大的(如铁电陶瓷,电解液)适合于制作大容量小体积的电容,但损耗也大。无锡滤波电容

电解电容器是开关电源中一次和二次回路滤波电路中较重要的器件之一。通常,电解电容器的等效电路可以认为是理想电容器与寄生电感、等效串联电阻的串联。众所周知,开关电源是当今信息家电设备的主要电源,为电子设备小型轻便化作出不可磨灭的贡献。开关电源不断的小型化、轻量化和高效率,在电子设备中使用量越来越大,普及率越来越高。相应的就要求电解电容器小型大容量化,耐纹波电流,高频低阻抗化,高温度长寿命化和更适应高密度组装。无锡滤波电容

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