企业商机
西门康SEMIKRON二极管基本参数
  • 品牌
  • 西门康
  • 型号
  • 二极管
西门康SEMIKRON二极管企业商机

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 二极管模块分为:快恢复二极管模块,肖特基二极管模块,整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。天津哪里有西门康SEMIKRON二极管

西门康SEMIKRON二极管

    对于常用的硅二极管而言导通后正极与负极之间的电压降为。根据二极管的这一特性,可以很方便地分析由普通二极管构成的简易直流稳压电路工作原理。3只二极管导通之后,每只二极管的管压降是,那么3只串联之后的直流电压降是×3=。3.故障检测方法检测这一电路中的3只二极管为有效的方法是测量二极管上的直流电压,如图9-41所示是测量时接线示意图。如果测量直流电压结果是,说明3只二极管工作正常;如果测量直流电压结果是0V,要测量直流工作电压+V是否正常和电阻R1是否开路,与3只二极管无关,因为3只二极管同时击穿的可能性较小;如果测量直流电压结果大于,检查3只二极管中有一只开路故障。图9-41测量二极管上直流电压接线示意图4.电路故障分析如表9-40所示是这一二极管电路故障分析:表9-40二极管电路故障分析5.电路分析细节说明关于上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。1)在电路分析中,利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态,但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用,所以只利用单向导电特性还不能够正确分析电路工作原理。2)二极管众多的特性中只有导通后管压降基本不变这一特性能够为合理地解释这一电路的作用。 宁夏哪里有西门康SEMIKRON二极管光电二极管又称光敏二极管。

天津哪里有西门康SEMIKRON二极管,西门康SEMIKRON二极管

    而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。整流二极管检查方法编辑首先将整流器中的整流二极管全部拆下,用万用表的100×R或1000×R欧姆档,测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大,例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大,而电阻值小的几百Ω甚至更小,说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等,而且电阻值很小,说明该二极管已被击穿损坏,不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大,说明此二极管已经内部断开,不能使用。整流二极管常用型号编辑二极管型号,用途,高反向工作电压VR,大平均整流电流IF1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二极管100V,1A,1N4003硅整流二极管200V,1A,1N4004硅整流二极管400V,1A,1N4005硅整流二极管600V,1A,1N4006硅整流二极管800V,1A,1N4007硅整流二极管1000V,1A,1N4148硅开关二极管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二极管50V,,(Ir=10uA,Vf=)1N5392硅整流二极管100V,,1N5393硅整流二极管200V,,1N5394硅整流二极管300V,,1N5395硅整流二极管400V,,1N5396硅整流二极管500V,,1N5397硅整流二极管600V,,1N5398硅整流二极管800V,。

    一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等目录1概述2选用3特性4常用参数5损坏原因6代换7检查方法8常用型号9高频整流二极管的特性与参数整流二极管概述编辑整流二极管(rectifierdiode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。 当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流处于电平衡状态。

天津哪里有西门康SEMIKRON二极管,西门康SEMIKRON二极管

    此时二极管VD1对级录音放大器输出的信号也没有分流作用。3)当电路中的录音信号比较大时,直流控制电压Ui较大,使二极管VD1导通,录音信号愈大,直流控制电压Ui愈大,VD1导通程度愈深,VD1的内阻愈小。4)VD1导通后,VD1的内阻下降,级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端,VD1导通愈深,它的内阻愈小,对级录音放大器输出信号的对地分流量愈大,实现自动电平控制。5)二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制,而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化,所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。4.故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的二极管故障检测好的方法是进行代替检查,因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。当二极管VD1开路时,不存在控制作用,这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真,在录音信号很小时录音能够正常。当二极管VD1击穿时,也不存在控制作用,这时录音声音很小,因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。二极管限幅电路及故障处理二极管基本的工作状态是导通和截止两种,利用这一特性可以构成限幅电路。 二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。陕西哪里有西门康SEMIKRON二极管推荐货源

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。天津哪里有西门康SEMIKRON二极管

    即信号幅度没有大到让限幅电路动作的程度,这时限幅电路不工作。2)信号幅度比较大时的电路工作状态,即信号幅度大到让限幅度电路动作的程度,这时限幅电路工作,将信号幅度进行限制。用画出信号波形的方法分析电路工作原理有时相当管用,用于分析限幅电路尤其有效,如图9-45所示是电路中集成电路A1的①脚上信号波形示意图。图9-45集成电路A1的①脚上信号波形示意图图中,U1是集成电路A1的①脚输出信号中的直流电压,①脚输出信号中的交流电压是“骑”在这一直流电压上的。U2是限幅电压值。结合上述信号波形来分析这个二极管限幅电路,当集成电路A1的①脚输出信号中的交流电压比较小时,交流信号的正半周加上直流输出电压U1也没有达到VD1、VD2和VD3导通的程度,所以各二极管全部截止,对①脚输出的交流信号没有影响,交流信号通过R1加到VT1中。假设集成电路A1的①脚输出的交流信号其正半周幅度在某期间很大,见图8-12中的信号波形,由于此时交流信号的正半周幅度加上直流电压已超过二极管VD1、VD2和VD3正向导通的电压值,如果每只二极管的导通电压是,那么3只二极管的导通电压是。由于3只二极管导通后的管压降基本不变,即集成电路A1的①脚大为。天津哪里有西门康SEMIKRON二极管

与西门康SEMIKRON二极管相关的文章
黑龙江哪里有西门康SEMIKRON二极管销售 2024-09-11

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情...

与西门康SEMIKRON二极管相关的问题
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责