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西门康SEMIKRON二极管基本参数
  • 品牌
  • 西门康
  • 型号
  • 二极管
西门康SEMIKRON二极管企业商机

    晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。中文名二级管外文名diode目录1二极管简介2二极管特性3二极管的原理4反向击穿5应用6类型7发光二极管二极管原理二极管简介编辑二极管内部构造二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图)一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论哪个方向都能流动电流。二极管原理二极管特性编辑二极管(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性,通常称之为“整流(Rectifying)”功能。 一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。宁夏代理西门康SEMIKRON二极管销售厂家

西门康SEMIKRON二极管

    电容C2始终接入电路,此时振荡频率降低。4.同类电路工作原理分析如图所示,电路中的VD1为开关二极管,控制电压通过R1加到VD1正极,控制电压是一个矩形脉冲电压,波形见图中所示。当控制电压为0V时,VD1不能导通,相当于开路,这时对L1和C1、L2和C2电路没有影响;当控制电压为高电平时,控制电压使开关二极管VD1导通,VD1相当于通路,电路中A点的交流信号通过导通的VD1和电容C3接地,等于将电路中的A点交流接地,使L2和C2电路不起作用。从上述分析可知,电路中的二极管VD1相当于一只开关,控制电路中的A点交流信号是否接地。二极管检波电路及故障处理如图9-48所示是二极管检波电路。电路中的VD1是检波二极管,C1是高频滤波电容,R1是检波电路的负载电阻,C2是耦合电容。图9-48二极管检波电路1.电路分析准备知识众所周知,收音机有调幅收音机和调频收音机两种,调幅信号就是调幅收音机中处理和放大的信号。见图中的调幅信号波形示意图,对这一信号波形主要说明下列几点:1)从调幅收音机天线下来的就是调幅信号。2)信号的中间部分是频率很高的载波信号,它的上下端是调幅信号的包络,其包络就是所需要的音频信号。3)上包络信号和下包络信号对称,但是信号相位相反。 陕西哪里有西门康SEMIKRON二极管销售厂家常用来触发双向可控硅,在电路中作过压保护等用途。

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    送到后级电路中进一步处理。图9-50检波电路输出端信号波形示意图2)检波电路输出信号的平均值是直流成分,它的大小表示了检波电路输出信号的平均幅值大小,检波电路输出信号幅度大,其平均值大,这一直流电压值就大,反之则小。这一直流成分在收音机电路中用来控制一种称为中频放大器的放大倍数(也可以称为增益),称为AGC(自动增益控制)电压。AGC电压被检波电路输出端耦合电容隔离,不能与音频信号一起加到后级放大器电路中,而是专门加到AGC电路中。3)检波电路输出信号中还有高频载波信号,这一信号无用,通过接在检波电路输出端的高频滤波电容C1,被滤波到地端。一般检波电路中不给检波二极管加入直流电压,但在一些小信号检波电路中,由于调幅信号的幅度比较小,不足以使检波二极管导通,所以给检波二极管加入较小的正向直流偏置电压,如图所示,使检波二极管处于微导通状态。从检波电路中可以看出,高频滤波电容C1接在检波电路输出端与地线之间,由于检波电路输出端的三种信号其频率不同,加上高频滤波电容C1的容量取得很小,这样C1对三种信号的处理过程不同。1)对于直流电压而言,电容的隔直特性使C1开路,所以检波电路输出端的直流电压不能被C1旁路到地线。

    正向导电,反向不导电)晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 当制成大面积的光电二极管时,可当作一种能源而称为光电池。

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    一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等目录1概述2选用3特性4常用参数5损坏原因6代换7检查方法8常用型号9高频整流二极管的特性与参数整流二极管概述编辑整流二极管(rectifierdiode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。 肖特基二极管A为正极,以N型半导体B为负极利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性制成的金属半导体器件。河北代理西门康SEMIKRON二极管厂家直销

当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。宁夏代理西门康SEMIKRON二极管销售厂家

    3)从分流支路电路分析中要明白一点:从级录音放大器输出的信号,如果从VD1支路分流得多,那么流入第二级录音放大器的录音信号就小,反之则大。4)VD1存在导通与截止两种情况,在VD1截止时对录音信号无分流作用,在导通时则对录音信号进行分流。5)在VD1正极上接有电阻R1,它给VD1一个控制电压,显然这个电压控制着VD1导通或截止。所以,R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。分析这个电路大的困难是在VD1导通后,利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析,即二极管的正向电流愈大,其正向电阻愈小,流过VD1的电流愈大,其正极与负极之间的电阻愈小,反之则大。3.控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况,例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言,控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。1)电路中没有录音信号时,直流控制电压Ui为0,二极管VD1截止,VD1对电路工作无影响,级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。2)当电路中的录音信号较小时,直流控制电压Ui较小,没有大于二极管VD1的导通电压,所以不足以使二极管VD1导通。 宁夏代理西门康SEMIKRON二极管销售厂家

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黑龙江哪里有西门康SEMIKRON二极管销售 2024-09-11

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情...

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