XB6042K2SV电源管理IC两串两节保护

CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片，输入电压范围2.7V到6V，能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管，不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件，非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置，恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路，可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时，CN3125自动进入低功耗的睡眠模式，此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端，电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。DS5036B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。XB6042K2SV电源管理IC两串两节保护

DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，DS3056B实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。如果降低功率仍然无法抑制过温，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时，自动关闭充电通路。XB4321A电源管理IC赛芯微代理手环手表牙刷成人用品无线充电源IC选型参考。

DS3056B支持电池串数的选择功能、电池充满电压的选择功能、充电功率的选择功能。变更连接在CNSEL管脚的下拉电阻R14的阻值，可以配置应用方案为2-6串电池的充电管理（NC-2串、620K-串、180K-串、100K-串、39K-串）。变更连接在BFSEL管脚的下拉电阻R13的阻值，可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压（NC-4.2V、620K-4.3V、180K-4.4V、100K-4.45）。变更连接在CCSEL管脚的下拉电阻R15的阻值，可以配置应用方案为不同的充电功率（NC-30W、620K-45W、180K-60W、100K-65W、39K-100W）。

电源管理芯片广泛应用于各个领域。在消费电子领域，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它们确保设备在不同的使用场景下（如待机、运行大型程序等）都能实现理想的电源效率，延长电池续航时间。在工业自动化领域，为各种传感器、控制器和执行器提供稳定的电源，保证工业系统的可靠运行。在汽车电子方面，电源管理芯片用于汽车的引擎控制、车载娱乐系统、照明系统等，适应汽车复杂的电源环境和严格的可靠性要求。在医疗设备中，也起着关键作用，保障设备的精确运行和患者的安全。DS6066专门针对空调服，发热服，电热坐垫，电热手套，电热毯，电热腰带等市场应用的智能SOC。

解决方案概要 标称电压2.2～2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点，也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。（无需的高价CV/CC充电IC） 耐过放电，可用于简单的放电检测 因为是电池，所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap，能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载，所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后，电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后，会逐渐充电。 无需满充电检测，在满充电后，一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时，为了不白白消耗储存在二次电池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中，在用SBD防止回流的同时，通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻，成为LDO的CE=“L”，稳压器将处于待机状态。 由此，可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。（称为“VOUT SINK电流”）正极保护IC、的锂电池保护方案。XB4145电源管理IC芯纳科技

DS2730 集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器。XB6042K2SV电源管理IC两串两节保护

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXB6042K2SV电源管理IC两串两节保护