13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”表示“峰”；而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。凯轩业电子肖特基二极管，只做原装，欢迎咨询。辽宁多功能肖特基二极管
8、变容二极管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其 PN 结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压 VR 变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作辽宁多功能肖特基二极管主要用于稳定电流和电压，并具有降低电压输出的功能。凯轩业电子。
较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压VB的一半作为VR。（3）较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。（5）正向电压VF：指二极管正向电压是电流通过二极管传导时产生的电压降。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。正向导通状态：电流只能从二极管的正极流入，负极流出，因为它包含一个PN结，有正极和负极两个端子整流二极管能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）反向截止状态：在二极管两端加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。选用整流二极管时，主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数常用参数：较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热肖特基二极管选深圳市凯轩业电子，欢迎━(*｀∀´*)ノ亻!亲的到来。
一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性，而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比，具有正向电压 (VF) 低，开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大，有如果热设计错误则引起热失控的缺点。肖特基势垒二极管在特性上会因正向电流大而导致发热。发热则漏电流 (IR) 变大，同时外壳温度、环境温度也上升。如果热设计错误，发热将高于散热，达不到热平衡持续发热。其结果漏电流 (IR) 也持续增加，较终元器件遭到损坏。这种现象叫做热失控。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。厂家直销，原装肖特基二极管就选凯轩业科技。辽宁多功能肖特基二极管
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整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常包含一个PN结，有正极和负极两个端子。整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。这里我们来聊一聊关于整流二极管的作用是什么,整流二极管的作用具有非常明显的单向导电性，在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。一般来说，整流二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的pn结界面。这里主要整理了整流二极管的三个作用：一、防止电流倒灌作用 二、起到保护电路作用，防止接错了正负极。 三、反向击穿作用辽宁多功能肖特基二极管
