马鞍山单向导电二极管

肖特基二极管，肖特基二极管也被称为热载流子二极管，英文名称为Schottky Barrier Diode，它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二极管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间，这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中，半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结，从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极，这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点，在高速开关电路中有普遍的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。温度对二极管的特性有影响，需考虑温漂移。马鞍山单向导电二极管

阻尼二极管，阻尼二极管英文名称为Damping diode，它具有较高的反向工作电压和峰值电流，较小的正向压降，高频高压整流二极管，可用作电视线路扫描电路中的阻尼和升压整流器。阻尼二极管主要用于黑白或彩电线路扫描电路的阻尼、整流电路，可以是硅二极管或锗二极管。它具有类似于高频高压整流二极管的特性。它的反向恢复时间很短，能够承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。它可以工作在高频(线路频率)，并具有较低的正向压降。合肥二极管现货直发在选择二极管时，应根据实际需求和工作环境进行综合考虑。

在操作中，一个单独的电流通过由镍铬合金制成的高电阻灯丝（加热器），将阴极加热到红热状态（800-1000℃）后可导致它释放电子到真空。这一过程即热发射。阴极通常涂有碱土金属氧化物，如钡或锶的氧化物。因为它们具有较低的功函数，可使发射的电子数量增加。有些真空管则直接加热钨丝，钨丝则既作为加热器也是阴极本身。交流电会在负极及与其同心的阳极板之间整流，当板子带正电时，静电会从负极处吸引电子。所以电子即从阴极连通到阳极成为了电流。然而当极性反转阳极板带有负电时，阳极板不会发射电子，而阴极也并不会吸引电子，因而没有电流会产生。如此则保证了电流的单向流通，即从阴极流向阳极板。

PIN二极管，PIN二极管英文名称为Pin diode，是一种在光通信中普遍使用的光电二极管。它是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造出来的一种晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。二极管在保护电路中扮演着重要角色，能有效防止电路过压或过流。

点接触式二极管，点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似，不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端，和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体，接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管，目前还在无线电接收器中的检波器中使用，并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动作，当二极管两边施加电压时，耗尽区的宽度，PN结势垒高低均会发生变化，导致二极管的电阻发生变化。二极管的快速开关特性可用于电子开关、振荡电路等。池州二极管行价

二极管采用PN结构，正向偏置时电子和空穴结合，反向偏置时形成势垒，导致电流很小。马鞍山单向导电二极管

变容二极管：变容二极管英文名称为Varactor Diodes，又称可变电抗二极管，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其较大值为几十pF到几百pF，较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的外形与普通二极管相同，原理图的封装在K极会有两根竖线的标记。马鞍山单向导电二极管