企业商机
三极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 应用范围
  • 功率,复合,差分,放大,振荡,达林顿,高反压,带阻尼,开关,微波,磁敏,光敏
  • 材料
  • 锗(Ge),硅(Si)
三极管企业商机

三极管的分类:晶体三极管按材料分类:锗管和硅管。晶体三极管按工作频率分类:小于3MHz为低频;3MHz。晶体三极管按输出功率分类:小于1W为小功率管;1W。晶体三极管按结构分类:NPN型和PNP型,区分两种三极管的关键是看发射极的箭头指向。NPN型三极管: 由两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。PNP型三极管: 由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管,也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。三极管的工作温度较高时,需要考虑散热措施,以保证正常工作。广州达林顿三极管定制

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极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时,发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时,加在集电极和发射极之间的较大允许电压,使用时如果UCE>U(BR)CEO,管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。广州超频三极管制造三极管的工作状态可以通过外部电路的设计来控制。

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实际放大电路,三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。这种放大功能被普遍应用于放大器、功率放大器等电路中。例如,在音频放大器中,三极管可以将微弱的声音信号放大为足够大的声音输出。

晶体三极管的种类:硅管和锗管(按半导体材料分),锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时,发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低,前者为0.2~0.3V,后者为0.6~0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2~0.3V的电压,晶体管就开始工作。常用型号有:3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。三极管具有噪声、高增益、频率响应宽等优势。

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按照用途可以分为四种 :普通功率型晶体管 高频大功率晶体管 超高频大功率晶体管 特种功率型晶体管 按制造工艺分为六种:双扩散硅双基型 (bjt) 双扩散铝双基型 (btjt) 单向晶闸管 (smcntctbtct等 ) 多晶闸管及门阵列式 (pmicmosfet等 ) 其他种类 根据不同的应用场合和要求可以制作出各种不同结构和功能的特殊二极管和三极管。应用领域 主要应用于整流器、稳压电源、振荡器等电路 [11] . 工作原理 当外加正向电压时(即给三极管输入一个信号电压),通过控制三端子的电流大小来改变输出信号的大小。三极管在放大电路中常用于电子放大器、示波器、电视机等设备中。深圳氧化物三极管市价

三极管作为电子电路中的基础元件,对于电子爱好者来说,深入了解其原理和使用方法是非常必要的。广州达林顿三极管定制

三极管结构,三极管的种类很多,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示,其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。广州达林顿三极管定制

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