企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。二极管的可靠性高,寿命长,适用于长时间运行的应用。惠州检波二极管定制

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工作原理:晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。惠州检波二极管定制在选择二极管时,应根据实际需求和工作环境进行综合考虑。

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二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生较早的半导体器件之一,其应用也非常普遍。二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。

爱迪生效应,就是真空二极管的原型。爱迪生本人对这个发现并没有太大的兴趣,只是习惯性的注册了一个专业技术,就再也没有关注。后来经过无数科学家的努力发展了很多种类型的真空二极管,比如英国物理学家弗莱明发明的二极管,当时也称为电子管。电子管,当时,电子管技术促进了无线电技术的飞跃发展,但是在后来半导体二极管异军突起,慢慢的电子管退出了历史舞台。二极管的主要功能是单向导电!就像鱼篓盖子一样!只许进,不许出!二极管可用于电池充电和放电保护,防止过充和过放。

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触发二极管,触发二极管又称双向触发二极管,英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC,触发二极管实际上是一种电压控制元件,一般的它们都有一个触发电压,当两端电压低于这个触发电压的时候,二极管是开路状态,当电压达到触发电压的时候,二极管瞬间导通,将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变(在其允许的电流范围内),因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分,原理图的种类比较多,一般都是两个二极管集成在一起的,触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。高频二极管可以用于射频电路中,具有快速开关特性和低噪声。惠州检波二极管定制

部分特殊用途的二极管,如肖特基二极管,具有低压降和快速恢复的特点。惠州检波二极管定制

点接触式二极管,点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似,不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端,和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体,接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管,目前还在无线电接收器中的检波器中使用,并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动作,当二极管两边施加电压时,耗尽区的宽度,PN结势垒高低均会发生变化,导致二极管的电阻发生变化。惠州检波二极管定制

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