晶闸管模块电流规格的选取
1、根据负载性质及负载额定电流进行选取
（1）电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。
（2）感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。
（3）负载电流变化较大时，电流倍数适当增大。
（4）在运行过程中，负载的实际工作电流不应超过模块的较大电流。
2、散热器风机的选用
模块正常工作时必须配备散热器和风机，推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的，则使用以下原则来选择：
（1）模块正常工作时，必须能保证冷却底板温度不超过75℃；
（2）当模块负载较轻时，可减小散热器的尺寸或采用自然冷却；
（3） 有水冷条件的，应优先水冷散热 。
3、使用要求
（1）工作场所环境温度范围：-25℃～+45℃；
（2）模块周围需要干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。
（3）模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接，以免接触不良引起附加发热。
（4）应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度，测点温度应小于80℃。 正高电气运用高科技，不断创新为企业经营发展的宗旨。内蒙古行车稳流模块
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间比较大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的比较大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。湖北晶闸管模块价格正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。
压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别？可控硅模块属于一种使用模块封装形式，拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，这种可控硅模块的体积非常的小，结构也十分的紧凑，对于维修与安装都有很大的作用，可控硅模块的类型非常的多，比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等，很多人不是很清楚两者之间的差异，下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲，焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好，压接式的属于一体成型，技术十分的标准，焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹，但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知，压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的，有不少的公司都会使用压接式可控硅模块，这其中的原因可能使由于其外形十分的美观，除此之外从价格方面来讲，焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。
晶闸管模块(MTC,MTA,MTK,MTX)一、产品特点：1、芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压；2、国际标准封装；3、真空+充氢保护焊接技术；4、压接结构，优良的温度特性和功率循环能力；5、输入-输出端之间隔离耐压≥2500VAC；6、200A以下模块皆为强迫风冷，300A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷；7、安装简单，使用维修方便，体积小，重量轻。二、型号说明：三、技术参数：型号通态平均电流反向断态重复峰值电压通态峰值电压通态峰值电流正反向重复峰值电流触发电流触发电压维持电流断态电压临界上升率通态电流临界上升率比较高额定结温绝缘电压重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及电路联结形式：五、产品应用：1、交直流电机控制；2、各种整流电源；3、工业加热控制；4、调光；5、无触点开关；6、电机软起动；7、静止无功补尝；8、电焊机；9、变频器；10、UPS电源；11、电池充放电。说明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均为25下的调试值，表中其它参数皆jm下的测试值;，在50HZ频率下，I2t(10ms)=(A2S);d.当使用在电流为60HZ情况下，Itsm()=(10ms),I2t()=。正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。
红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′。正高电气公司狠抓产品质量的提高，逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。南京可控硅集成调压模块
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1(1)晶闸管智能控制模块均采用本公司**开发的全数字移相触发集成电路,实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化，使模块具备了弱电控制强电的电力调控功能。2(2)晶闸管智能模块采用进口方形芯片、高级芯片支撑板，模块压降小、功耗低，效率高,节电效果好。3(3)晶闸管智能模块采用进口贴片元件,保证了触发控制电路的可靠性。4(4)晶闸管智能模块采用(DBC)陶瓷覆铜板，经独特处理方法和特殊焊接工艺，保证焊接层无空洞，导热性能好。热循环负载次数高于国家标准近10倍。5(5)晶闸管智能模块采用高级导热绝缘封装材料，绝缘、防潮性能优良。6(6)晶闸管模块采用触发控制电路、主电路与导热底板相互隔离，导热底板不带电．绝缘强度≥2500V(RMS)，保证人身安全。内蒙古行车稳流模块
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