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BZX84C5V1是一款齐纳二极管，也称为稳压二极管。以下是关于BZX84C5V1的详细参数和特性：制造商与类别：这款二极管由Fairchild（仙童半导体）或ShenzhenYJYCOINElectronicsCo.,Ltd.（深圳益嘉源电子有限公司）等制造商生产。它属于齐纳二极管、稳压二极管类别。封装与安装方式：BZX84C5V1采用SOT-23-3封装，是一种表面贴装（SurfaceMount）的器件。其封装尺寸为长2.90mmx宽1.30mm，高度为1.15mm。引脚与电性参数：该二极管具有3个引脚（Pin）或针脚（Positio）。其额定电压（DC）为5.10V，容差为±6%，额定功率为350mW。击穿电压也是5.10V。温度与阻抗特性：BZX84C5V1的工作温度和存储温度范围均为-55℃至+150℃。其反向漏电流IR为2µA，测试电流Izt为5mA，阻抗Zzt为60Ω。应用与功能：由于BZX84C5V1具有稳定的电压特性和良好的温度性能，它广泛应用于需要稳定电压输出的电路中，如电源电路、信号放大电路等。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BZX84C5V1这款齐纳二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MM1Z3B3是一款稳压二极管 封装为SOD-123。中文资料ST先科ESD3T24WS

BAT46W是一款肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode），由STMicroelectronics（意法半导体）制造。肖特基势垒二极管（也常称为肖特基二极管）是一种具有低正向压降和高开关速度的二极管，通常用于需要快速开关和低功耗的应用中。BAT46W具有较低的正向电压降（VF），通常在几十到几百毫伏之间，这使得它在需要高效能量转换的电路中特别有用。此外，它还具有高反向击穿电压和快速恢复时间，能够在高频率下有效工作。BAT46W的具体参数可能包括：反向击穿电压：这通常是二极管可以承受的最大反向电压，超过这个电压，二极管将开始导电。BAT46W通常具有较高的反向击穿电压，适合在高压应用中使用。正向电流：二极管在正向偏置时可以承受的最大电流。工作温度范围：BAT46W可以在特定的温度范围内正常工作。BAT46W通常用于保护电路、电源管理、信号处理和其他需要快速开关和低正向压降的应用中。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BAT46W这款肖特基二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。中文资料ST先科ESD3T24WSSS34是一款肖特基二极管 封装为SMB。

BC817-40是一款双极性晶体管，具体为NPN通用晶体管。它采用了小型SOT23表面安装器件（SMD）塑料封装，这种封装形式使得BC817-40在电路板上占用空间较小，有利于实现电路的小型化和高集成度。BC817-40的主要参数包括：截止频率ft的典型值为100MHz，集电极直流电流为500mA，直流电流增益hFE的范围为160至400，功耗为310mW，比较大连续电流Ic为1.5A，饱和电压Vcesat比较大为0.7V。这些参数决定了BC817-40在电路中的工作性能和适用范围。此外，BC817-40具有高电流和低电压特性，适用于通用开关和放大等应用。它的快速响应和低功耗特性使得它在各种电子设备中都能发挥出色的性能。总的来说，BC817-40是一款性能优越、应用***的双极性晶体管，它的出色性能和方便的封装形式使得它在电路设计中具有重要的作用。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BC817-40这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。

MMBT5551是一款NPN型三极管，广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是关于MMBT5551的详细参数和特性：主要参数：集电极-基极电压(Vcbo)：160V集电极-发射极电压(Vceo)：160V发射极-基极电压(Vebo)：6V集电极电流(Ic)：比较大600mA总功耗(Ptot)：225mW电流增益(hFE)：在10mA时为100至400转换速度：100MHz工作温度范围：-55℃至150℃这些参数决定了MMBT5551在各种电路中的工作性能和应用范围。典型应用：小信号放大器：MMBT5551可以用于音频、射频和其他类型的小信号放大电路。电流源：MMBT5551可以用于设计恒流源电路，为电子设备和电路提供稳定的电流。电压比较器：MMBT5551可以用于构建简单的电压比较器电路，用于检测和比较电压信号。其他特性：MMBT5551的封装形式为SOT-23，这是一种常用的表面贴装封装，适用于各种电子设备的组装和集成。该三极管符合RoHS标准，不含限制性物质，满足环保要求。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MMBT5551这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MM1Z18是一款稳压二极管 封装为SOD-123。

MM1Z24是一款稳压二极管，以下是关于该产品的详细参数和特性：主要参数：稳压值（Vz）：24V，这是一个典型的工作电压值，确保电路中的电压稳定。比较大齐纳阻抗（ZZT）：60Ω，表示二极管在特定条件下的阻抗。反向电流（Izt）：5mA，当二极管处于反向偏置时，流过的电流大小。反向漏电流（IR）：0.1μA，在特定条件下，二极管的反向泄漏电流。额定功率（PD）：500mW，二极管在正常工作条件下能够承受的最大功率。正向电压（VF）：0.9V，二极管正向导通时的压降。容差（Tol）：±5%，表示稳压值的精度范围。封装与尺寸：MM1Z24的封装形式主要有SOD-123、SOD-323和LL-34三种。其中，SOD-123是一种常见的封装形式，具有体积小、重量轻、易于焊接等特点，适用于空间受限的设备，如智能手机、平板电脑等。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z24这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。BC857是一款三极管 封装为SOT-23。中文资料ST先科ESD3T24WS

MM1Z3V3是一款稳压二极管 封装为SOD-123。中文资料ST先科ESD3T24WS

MM1Z3V3是一款稳压二极管，具有广泛的应用场景。以下是关于MM1Z3V3的详细参数和特性：稳压值：MM1Z3V3的稳压值（典型值）为3.3V，这是一个常见的标准电压值，适用于多种电子设备。反向漏电流：在1V反向电压下，其反向漏电流为20uA，这个参数反映了二极管在反向偏置时的电气性能。最大功率：MM1Z3V3的最大功率为500mW，这意味着它可以在高功率应用中稳定运行。封装形式：MM1Z3V3有多种封装形式，包括SOD-123、SOD-323和LL-34等，这有助于满足不同电路设计和布局的需求。此外，MM1Z3V3由专业的半导体制造商生产，如上海光宇睿芯微电子有限公司和山东晶导微电子有限公司等，这些制造商在半导体设计和生产方面具有丰富的经验和专业技术，为MM1Z3V3的质量和稳定性提供了保障。在实际应用中，MM1Z3V3被***用于各种需要稳定电压输出的电路，如电源电路、放大电路等。其稳定的电压输出可以有效保护电路中的其他元件，避免因电压波动导致的损坏。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z3V3这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们中文资料ST先科ESD3T24WS