所有人都知道IGBT的标准定义,但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧,一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的,它们之间有什么区别和联系,在应用的时候,什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管。这些问题其实并非很难,你跟着我看下去,就能窥见其区别及联系。为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件?要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系,就必须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解。BJT:双极性晶体管,俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。BJT内部结构及符号如同我上篇文章(IGBT这玩意儿——从名称入手)讲的,双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电,BJT既然叫双极性晶体管,那其内部也必然有空穴和载流子,理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理的关键。由于图中e(发射极)的P区空穴浓度要大于b(基极)的N区空穴浓度,因此会发生空穴的扩散,即空穴从P区扩散至N区。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。陕西SEMIKRON西门康IGBT模块销售
做出了能适应于高频应用的晶闸管,我们将它称为快速晶闸管。它具有关断时间(toff)短、导通速度快.能耐较高的电流上升率(dI/dt)、能耐较高的电压上升率(dv/dt)、抗干扰能力较好等特点。快速晶闸管的生产和应用都进展很快。目前,已有了电流几百安培、耐压1千余伏,关断时间为20微妙的大功率快速晶闸管,同时还做出了比较高工作频率可达几十千赫兹供高频逆变用的元件。其产品广应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。3.逆导晶闸管以往的为了便于调速采用直流供电,用直流开关动作增加或减小电路电阻,改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑起动和加速。自有了,了逆导晶闸管不了上述缺点,而且还逆导晶闸管是在普通晶闸管上反向并联一只二极管而成,特点是能反向导通大电流。由于它的阳极和阴极接入反向并联的二极管,可对电感负载关断时产生的大电流、高电压进行快速释放。城市电车和地铁机车采用逆导晶闸管控制和调节车速,能够克服开关体积大、寿命短,而且低速运行时耗电大(减速时消耗在启动电阻上)等缺点,从而降低了功耗,提高了机车可靠性。云南哪里有SEMIKRON西门康IGBT模块代理商它与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。
作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外,当空穴收集区8内设置有沟槽时,如图10所示,此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触,即接触多晶硅13。可选的,在图7的基础上,图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图,如图11所示,此时,电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触,且,与p阱区7连通;当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时,横截面如图12所示,此时,如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时,则横截面如图13所示,且,空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外,当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时,如图14所示,此时,空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离,这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此,本发明实施例提供的一种igbt芯片,在电流检测区域20内没有开关控制电级,即使有沟槽mos结构,沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触,且,与公共栅极单元100绝缘。
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。(此处指的模拟表,电子式万用表红表笔与电池正极相连,模拟表红表笔与电池负极相连)光控晶闸管晶闸管光控晶闸管(LightTriggeredThyristor——LTT),又称光触发晶闸管。国内也称GK型光开关管,是一种光敏器件。1.光控晶闸管的结构通常晶闸管有三个电极:控制极G、阳极A和阴极K。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极K)。但它的结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。从外形上看,光控晶闸管亦有受光窗口,还有两条管脚和壳体,酷似光电二极管。2.光控晶闸管的工作原理当在光控晶闸管的阳极加上正向电压,阴极加上负向电压时,控晶闸管可以等效成的电路。可推算出下式:Ia=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il为光电二极管的光电流;Ia为光控晶闸管阳极电流,即光控晶闸管的输出电流;a1、a2分别为BGl、BG2的电流放大系数。由上式可知。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。
因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压,及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。(3)IGBT开通后,驱动电路应提供足够的电压、电流幅值,使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响,RG较大,有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率,但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小,会引起电流上升率增大,使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关,一般在几欧~几十欧,小容量的IGBT其RG值较大。(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,G—E断不能开路。四、IGBT的结构IGBT是一个三端器件,它拥有栅极G、集电极c和发射极E。IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号如图所示。如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子,因而对漂移区电导率进行调制,可仗IGBT具有很强的通流能力。介于P+注入区与N-漂移区之间的N+层称为缓冲区。 IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。湖北代理SEMIKRON西门康IGBT模块代理商
IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。陕西SEMIKRON西门康IGBT模块销售
所有人都知道IGBT的标准定义,但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧,一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的,它们之间有什么区别和联系,在应用的时候,什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管。这些问题其实并非很难,你跟着我看下去,就能窥见其区别及联系。为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件?要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系,就必须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解。BJT:双极性晶体管,俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。BJT内部结构及符号如同我上篇文章(IGBT这玩意儿——从名称入手)讲的,双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电,BJT既然叫双极性晶体管,那其内部也必然有空穴和载流子,理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理的关键。由于图中e(发射极)的P区空穴浓度要大于b(基极)的N区空穴浓度,因此会发生空穴的扩散,即空穴从P区扩散至N区。同理,e(发射极)的P区电子浓度要小于b(基极)的N区电子浓度,所以电子也会发生从N区到P区的扩散运动。陕西SEMIKRON西门康IGBT模块销售