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晶闸管模块基本参数
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  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛米控,英飞凌
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[1]维持电流I:是指晶闸管维持导通所必需的**小电流,一般为几十到几百毫安。IH与结温有关,结温越高,则I越小。擎住电流I:是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的**小电流。对同一晶闸管来说,通常I约为I的2~4倍。[1]浪涌电流I:浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性**大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt:是指在额定结温、门极开路的情况下,不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压**大上升率。通态电流临界上升率di/dt:指在规定条件下,晶闸管能承受的**大通态电流上升率。如果di/dt过大,在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求:①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通;②触发脉冲应有足够的幅度,对一些温度较低的场合,脉冲电流的幅度应增大为器件**大触发电流的3~5倍,脉冲的陡度也需要增加,一般需达1~2A/μs;③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额。构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。湖南国产晶闸管模块销售厂

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其**新研制出的IGCT拥有更好的性能,其直径为英寸,单阀片耐压值也是。**大通流能力已经可以达到180kA/30us,**高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流**大值为2000A,触发电流上升率di/dt**大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低,因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶闸管属于半控型器件,通过门极(控制极)只能控制其开通而不能控制其关断,导通后控制极即不再起作用,要关断必须切断电源,即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性,必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路,从而使装置体积增大,成本增加,而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构,开通损耗大,工作频率难以提高,限制了其应用范围。1970年代末,随着可关断晶闸管(GTO)日趋成熟,成功克服了普通晶闸管的缺陷,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。湖南国产晶闸管模块销售厂晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。

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它由电源变压器、电源稳压电路、三相同步电路及处理模块、数字调节器、数字触发器、六路相互隔离的脉冲输出电路、开关量输入、故障及报警输出电路、模拟量处理及A/D转换电路、按键参数设定及LED指示电路等部分组成。三相晶闸管触发板技术参数⑴主电路阀侧额定工作线电压:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作电源:单相220V±10%;电流A≤。⑶控制板同步信号:三相同步,AC380V,50HZ,电流A≤10mA;其他需定制。⑷UF电压反馈信号:DC0∽10V,内阻抗≥20KΩ,反馈信号比较大共模电压≤10V,其他需定制(5)IF电流反馈信号:DC0∽5V,内阻抗≥20KΩ,反馈信号比较大共模电压≤5V,其他需定制。⑹1F电流反馈信号:DC0∽5V,内阻抗≥20KΩ,反馈信号比较大共模电压≤5V,其他需定制。⑺2F电流反馈信号:DC0∽5V,内阻抗≥20KΩ,反馈信号比较大共模电压≤5V,其他需定制。⑻电位器给定接口:自带电源,每个接口只能接一个R≥电位器。⑼仪表控制接口:常规0~10mA仪表控制信号输入,内阻抗≥500Ω。其他需定制。⑽开关量输入节点:4路开关量输入,自带电源,禁止同其他电源混接。⑾故障及报警继电板输出接点:故障和及报警各一对常开接点输出,容量:AC220V/1A。

晶闸管智能模块模块规格编辑晶闸管智能模块注意事项编辑1、模块电流规格的选取考虑到电网电压的波动和负载在起动时一般都比其额定电流大几倍,且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差,建议您在选取模块电流规格时应留出适当裕量。推荐选择如下:阻性负载:模块标称电流应为负载额定电流的2倍。感性负载:模块标称电流应为负载额定电流的3倍。2、导通角要求模块在较小导通角时(即模块高输入电压、低输出电压)输出较大电流,这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值,不是有效值,所以,尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值,但有效值会超过模块标称值的几倍。因此,要求模块应在较大导通角下(100度以上)工作。3、控制电源要求(1)电压为DC12V±;纹波电压≤30mV;输出电流≥1A;(2)可以采用开关电源,也可采用线性电源(即变压器整流式稳压电源)。开关电源外壳应带屏蔽罩。线性电源要求滤波电容必须≥2200μf/25V。(3)控制电源极性要求正确接入模块控制端口,严禁反接。否则将烧坏模块控制电路。4、使用环境要求(1)工作场所环境温度范围:-25℃~+45℃。(2)模块周围应干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。

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认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品,并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,形成三个PN结,分别称:阳极,阴极和控制极。图1晶闸管的结构晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路。晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。工作过程加正向电压且门极有触发电流的情况下晶闸管才导通,这是晶闸管的闸流特性,即可控特性。若晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。晶闸管的种类1.双向晶闸管双向晶闸管有极外G,其他两个极称为主电极Tl和T2。结构是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件。双向晶闸管不象普通晶闸管那样,必须在阳极和阴极之间加上正向电压,管子才能导通。它无所谓阳极和阴极,不管触发信号的极性如何,双向晶闸管都能被触发导通。这个特点是普通晶闸管所没有的。2.快速晶闸管人们在普通晶闸管的制造工艺和结构上采取了一些改进措施。1957年美国通用电器公司开发出世界上第1晶闸管产品,并于1958年使其商业化。天津晶闸管模块货源充足

晶闸管的作用也越来越全。湖南国产晶闸管模块销售厂

使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强迫关断。这就需要增加换向电路,不*使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频率比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已***用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极**大可关断电流IATM与门极**大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。湖南国产晶闸管模块销售厂

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