电荷泵

DS3056B集成了USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能，支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别，支持PD、QC、BC1.2DCP快充协议。充电时，上限充电效率为98%。集成了高效的锂电池充电管理模块，根据输入电源电压和电池电压自动匹配较佳的充电方式。涓流充电：电池电压＜涓流截止电压时，执行涓流充电。恒流充电：当涓流充电使得电池电压＞涓流截止电压时，进入恒流充电。恒压充电：当恒流充电使电池电压接近电池充满电压时，进入恒压充电；充电电流降至停充电流时，停止充电。如果电池电压低于复充门限值，则重新开启电池充电。XC3098(磷酸铁锂充电芯片）。电荷泵

DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，DS3056B实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。如果降低功率仍然无法抑制过温，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时，自动关闭充电通路。XB4709J2S电源管理IC现货点思DS5136无线充15W带载效率高达80%。

解决方案概要 标称电压2.2～2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点，也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。（无需的高价CV/CC充电IC） 耐过放电，可用于简单的放电检测 因为是电池，所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap，能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载，所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后，电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后，会逐渐充电。 无需满充电检测，在满充电后，一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时，为了不白白消耗储存在二次电池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中，在用SBD防止回流的同时，通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻，成为LDO的CE=“L”，稳压器将处于待机状态。 由此，可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。（称为“VOUT SINK电流”）

CN3130是可以用太阳能板供电的可充电纽扣电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的应用。CN3130只需要极少的外置元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为3.3V，也可以通过一个外部的电阻向上调节，非常适合纽扣式锂锰电池，磷酸铁锂电池和锂电池的充电应用。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3130自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电以及充电状态指示等功能。CN3130采用6管脚SOT23封装(SOT23-6)。DS3056B 是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理 SOC。

当同时连接充电电源和用电设备时，自动进入边充边放模式。在该模式下，芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电，DS6036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上，以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下，开启放电路径给用电设备供电；为了安全考虑，如果VSYS电压大于5.6V，不会开启放电路径。在边充边放过程中，如果拔掉充电电源，DS6036B会关闭充电功能，重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑，同时也为了能够重新使能用电设备请求快充，转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中，如果拔掉用电设备、用电设备充满持续30s时，DS6036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭，状态回到单充电模式时，会重新给移动电源快充。任一输出口的输出电流小于约 80mA时，持续 15s 后会自动关闭该口。XB4709J2S电源管理IC代理

支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别。电荷泵

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。电荷泵