印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了头一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )发明了硅晶检波器,并在1906年11月20日注册了专业技术 。也正是因为格林里夫,使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质,其中较普遍使用的是矿物方铅矿(硫化铅),因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备(即所谓的“猫须”)。二极管具有快速开关特性,适用于高频电路。东莞光电二极管厂家供应
静电放电(ESD)二极管,静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge,简称ESD,ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件,当加在两极间的电压达到一定值时,在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时,则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化;如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲,则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象(简称“开路”)。肇庆发光二极管定制二极管作为基本器件,对电子技术的发展和应用起着重要作用。
交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管,当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极管,实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。非线性电阻器,若超过一定电压,电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成,当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的肖特基接面二极管效应而产生,但对外并不呈现二极管的特性,因此平常并不列在二极管分类之中。
反向偏置(Reverse Bias),在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为反向偏置。这种情况下,因为N型区域被注入空穴,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合部位的耗尽层变得更宽,内部的静电场也更强,扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销,让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态,也会有微小的反向电流(漏电流、漂移电流)通过。当反向偏置持续增加时,还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ,发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的(反向)电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 ( 崩溃区 )。在击穿区内,电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成,可以作为电压源使用。硅二极管和砷化镓二极管是常见类型。
点接触式二极管,点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似,不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端,和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体,接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管,目前还在无线电接收器中的检波器中使用,并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动作,当二极管两边施加电压时,耗尽区的宽度,PN结势垒高低均会发生变化,导致二极管的电阻发生变化。通过合理配置二极管,可以优化电路的功耗和效率。东莞光电二极管厂家供应
二极管技术不断发展,涌现出多种类型和应用领域,为电子工程师提供更多选择。东莞光电二极管厂家供应
早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体(“Cat‘s Whisker” Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。东莞光电二极管厂家供应