企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。正向性,外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。二极管的工作状态受温度影响,应注意散热问题,确保其稳定性。珠海发光二极管厂家精选

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印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了头一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )发明了硅晶检波器,并在1906年11月20日注册了专业技术 。也正是因为格林里夫,使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质,其中较普遍使用的是矿物方铅矿(硫化铅),因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备(即所谓的“猫须”)。江门开关二极管生产厂家二极管具有体积小、成本低的优势,普遍应用于电子产品中。

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肖特基二极管,肖特基二极管也被称为热载流子二极管,英文名称为Schottky Barrier Diode,它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时,肖特基二极管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间,而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间,这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中,半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结,从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极,金属侧作为二极管的阳极,这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点,在高速开关电路中有普遍的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。

二极管概述,二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体:指不含任何掺杂元素的半导体,如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。二极管技术不断发展,涌现出多种类型和应用领域,为电子工程师提供更多选择。

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二极管(Diode)具有单向导电性,即只允许电流沿着一个方向流动,而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中较基本的元件之一,普遍应用于各种电子设备中。单向导通性的实验说明:当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时,稳压二极管没有击穿而处于反向截止区,此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR(reverse leakage current),这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态,因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的,没有达到输出稳定电压的目的,如下图所示:当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时,稳压二极管被反向电压击穿,此时回路电流急剧增加。二极管的工作原理基于PN结的特性,当正向偏置时导通,反向偏置时截止。珠海发光二极管厂家精选

二极管是电子电路中的基础元件,具有单向导电性,常用于整流、开关等电路中。珠海发光二极管厂家精选

二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平均电流,超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR:允许施加的较大反向电压,超出可能击穿。(U_RUR 通常为击穿电压的一半)。反向电流 I_RIR: 未击穿时的反向电流,越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM: 上线截止频率。因结电容作用,超出可能不能很好体现的单向导电性。珠海发光二极管厂家精选

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