NTC充电管理

解决方案概要 标称电压2.2～2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点，也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。（无需的高价CV/CC充电IC） 耐过放电，可用于简单的放电检测 因为是电池，所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap，能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载，所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后，电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后，会逐渐充电。 无需满充电检测，在满充电后，一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时，为了不白白消耗储存在二次电池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中，在用SBD防止回流的同时，通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻，成为LDO的CE=“L”，稳压器将处于待机状态。 由此，可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。（称为“VOUT SINK电流”）适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!NTC充电管理

XA6206丝印：54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器的不同点在于，低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。XB4092J2电源管理IC代理温度高于高温保护门限或低于低温保护门限，关闭充放电路径。

   DS3056B集成LED显示功能。GPIO10、GPIO11管脚可以直接驱动LED1，LED2，用于显示IC的工作状态、电池的充电状态等信息。集成i2C功能，外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。内置16-bit的高精度ADC和12-bit的高速ADC。高精度ADC用于检测充电电流，高速ADC用于检测电压信号，并配置了窗口比较功能，可以根据检测结果做出快速反应。DS3056B的测温管脚TS集成了电流源，结合外部的温敏电阻（NTC），用于监测电池的温度。温度高于高温保护门限或低于低温保护门限、且持续预定时间后，关闭充放电路径。温度从高温降至高温保护解除门限之下或从低温升至低温保护解除门限之上时，恢复充电或放电。PVDD部分的供电：2串可通过电池直接给内部PVDD供电，3串可通过外部LDO给PVDD供电，4-6串可通过外部DC给PVDD供电。

特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性，不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小，但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品，及包括机器人在内的产业机械，其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力，高度的市场影响力，并积极地对应环保要求，今后还将继续于电源IC领域。采用开关充电技术，充电效率极限达到 96%，能缩短 3/4 的充电时间。

锂离子电池到1.5V干电池 5号电池到处都是，玩具、家用电器、门禁等等，给我们带来了便携性，但也给我们留下了很多麻烦: -在使用耗电的玩具时，应经常更换电池; -废电池处置过程中的潜在污染危害; -可充电镍金属氢化物等电池，充电速度慢。 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的1.5V电池，锂离子电池有以下特点: -容量相同，电池容量更大; -无召回效果，使用寿命更长;低污染; -充电速度更快; 更低的价格; 随着锂离子电池产业化的深入，其单位容量价格逐渐降低，资金优势现在优于传统的可充电干电池，所以5号电池内置锂离子电池，可以如下图，标准microUSB充电，兼容性好。 但是如何解决锂离子电池充电的问题，如何解决锂离子电池的3.7v和no。5.电池1.5v对充?上海索万电子电源充电与电压转换单片机解决方法，原理框图及实物样例如下。充电容量可达500mA,1.5mhz开关频率，支持小电感，输出电流1.0a以上。30V耐压带OVP高耐压线性充电管理。STP01

半桥电路功率管下管驱动。NTC充电管理

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。NTC充电管理