企业商机
晶振基本参数
  • 品牌
  • 华昕
  • 型号
  • 晶振全品类
  • 频率特性
  • 高频,低频
  • 封装材料
  • 金属,陶瓷
  • 外形
  • 贴片式,直插式
  • 标称频率
  • 1~200
  • 调整频差
  • 1~200
  • 基准温度
  • -40~+85
  • 负载电容
  • 6pf~20pf
  • 静态电容
  • 3
  • 老化率
  • 2
  • 温度范围
  • -40~+85
  • 产地
  • 中国
  • 厂家
  • 华昕
  • 封装尺寸
  • 1612/2016/2520/3225/5032/7050
晶振企业商机

电子元器件的质量等级主要根据其性能、可靠性、寿命等因素来划分,常见的分类包括商业级、工业级、汽车级、JP级和航天级。

商业级:适用于常见的电子设备,如电脑、手机和家用电器等,其工作温度为0℃~+70℃。这类元器件价格便宜,常见且**实用。工业级:适用于更多样的环境条件,其工作温度为-40℃~+85℃。与商业级相比,工业级元器件的精密度和价格略高,但比JP级略低。

汽车级:专为汽车设计,要求更高的使用温度和更严格的可靠性,其工作温度为-40℃~125℃。这类元器件的价格通常比工业级贵。

JP级:专为JP领域设计,如导弹、飞机、坦克和航母等。JP级元器件的工艺**,价格昂贵,精密度高,工作温度为-55℃~+150℃。

航天级:是元器件的高级别,主要使用在火箭、飞船、卫星等航天领域。除了满足JP级的要求外,航天级元器件还增加了抗辐射和抗干扰功能。此外,电子元器件的质量等级还可根据生产厂家提供的标准划分为A、B、C、D四个等级。A级为高等级,具有优异的性能和可靠性,适用于高要求的产品中;D级为较低等级,性能较差,适用于低成本、低性能的产品中。 晶振的驱动电平和功耗是多少?武汉24MHZ晶振

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晶振的成本与其性能之间存在着直接的关系。首先,性能越高的晶振,其生产成本通常也越高。这是因为高性能的晶振需要采用更质量的原材料,如更高质量的石英晶片,这些原材料的成本本身就较高。同时,为了满足更高的性能要求,晶振的制造过程也需要更加精细和复杂,比如需要更高级的切割、研磨和封装技术,这些都会增加生产成本。其次,高性能的晶振还需要经过更严格的质量控制和测试,以确保其稳定性和可靠性。这些额外的质量控制和测试环节也会增加晶振的制造成本。此外,市场需求和供应量也是影响晶振成本的重要因素。如果高性能晶振的市场需求大于供应量,那么其价格就会相应提高。综上所述,晶振的成本与其性能密切相关。一般来说,性能越高的晶振,其生产成本也越高,因此价格也相对较高。但是,这也取决于市场需求和供应量等其他因素。在选择晶振时,需要根据实际需求权衡性能和成本之间的关系。武汉24MHZ晶振常用晶振的型号HC-49S系列,频率3.2768~32MHz可选。

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晶振的制造过程主要包括以下几个关键步骤:原材料准备:晶振的关键组件是石英晶片,首先需要准备原始的石英晶体材料。晶片切割:将选取好的石英材料进行高精度的切割,以得到符合设计要求的晶片。这一步骤需要严格控制晶片的尺寸、形状和厚度等参数。清洗与镀膜:在制造过程中,晶片需要进行清洗以去除表面的杂质。随后,采用溅射或其他方法在晶片表面镀膜,通常是金属薄膜如银,以形成电极。电极制作:在晶片的两面制作电极,电极用于施加电压以激发石英晶体的压电效应。点胶与烘胶:在晶片的特定位置上涂抹胶水,以固定晶片和其他组件的连接。然后,将点胶后的晶片进行烘烤,以加快胶水的固化和固定连接。频率微调:调整晶振的振荡频率,使其达到设计要求。这一步骤可能需要多次迭代以获得比较好频率。封装:将制作好的晶片放置在适当的封装材料中,以保护晶片并提供机械支撑。封装过程中需要确保晶片与封装材料之间的热膨胀系数匹配,以防止温度变化引起的应力损伤。以上步骤完成后,晶振就制造完成了。

晶振的精度对电路的时序有着直接且明显的影响。晶振作为电路中的时钟源,为电路中的各个部分提供基准频率,确保它们能够按照正确的时序进行工作。首先,晶振的精度决定了电路中的时钟信号的准确度。时钟信号是电路时序控制的基础,它决定了电路中各个部分的工作节奏。如果晶振的精度不高,时钟信号就会产生偏差,导致电路中的时序控制出现误差。这种误差可能表现为数据传输的延迟、信号处理的错乱等问题,严重影响电路的性能和稳定性。其次,晶振的精度还会影响电路的时序裕量。时序裕量是指电路在时序控制上允许的比较大偏差范围。如果晶振的精度较低,那么电路的时序裕量就会减小,电路对时序误差的容忍度就会降低。这可能导致电路在受到一些微小的干扰或变化时,就无法正常工作,降低了电路的可靠性和稳定性。因此,在选择晶振时,需要根据电路的时序要求来选择合适的晶振精度。对于需要高精度时序控制的电路,如高速通信、实时控制等应用,应选择高精度的晶振来确保电路的稳定性和可靠性。如何延长晶振的使用寿命?

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晶振的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容,这是晶振要正常震荡所需要的电容。它的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。负载电容的确定一般依赖于晶振的数据手册或规格书,其中会明确标注出所需的负载电容值。此外,也可以通过计算公式来确定负载电容,公式为:晶振的负载电容Cf=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C,其中Cd、Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。但需要注意的是,不同的IC和PCB材质可能会有所不同,因此需要根据实际情况适当调整。在应用中,一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。如果负载电容不够准确,那么晶振的准确度就会受到影响。因此,在确定负载电容时,需要参考晶振的规格书或数据手册,并结合实际情况进行调整,以确保晶振的稳定性和准确度。晶振的抖动(Jitter)是如何定义的?它对电路有何影响?武汉24MHZ晶振

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晶振的温漂对电路的影响主要体现在以下几个方面:频率稳定性:晶振是电子设备中的时钟源,为电路提供基准频率。晶振的温漂会导致其输出频率随温度变化,进而影响整个电路的频率稳定性。如果晶振的温漂较大,电路的频率稳定性将受到严重影响,可能导致电路无法正常工作或性能下降。时序控制:电路中的时序控制依赖于晶振提供的基准频率。晶振的温漂会导致时序控制的误差,特别是在需要精确同步的电路中,如通信、数据处理等,这种误差可能导致数据传输错误、信号干扰等问题。功耗和发热:晶振的温漂还可能导致电路功耗的增加和发热问题的加剧。因为为了维持电路的稳定工作,可能需要额外的功耗来补偿晶振温漂带来的影响。同时,晶振本身的发热问题也可能因为温漂而加剧,进一步影响电路的性能和稳定性。为了减小晶振温漂对电路的影响,可以采取一些措施,如使用温度补偿晶振、恒温晶振等,以提高晶振的频率稳定性和降低温漂。此外,在设计电路时,也需要充分考虑晶振的温漂特性,选择合适的晶振型号和规格,并合理布局电路以降低温度对晶振的影响。武汉24MHZ晶振

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晶振在微处理器中的应用主要体现在以下几个方面:时钟信号生成:晶振是微处理器中的关键组件之一,负责产生稳定的时钟信号。这个时钟信号是微处理器内部各种操作的基准,包括指令的读取、解码和执行,数据的读取和写入等。同步控制:微处理器内部的各种功能部件需要按照一定的时序进行工作,晶振产生的时钟信号确保了这些部件之间的同步。这有助于防止数据***和时序错误,保证微处理器的正确运行。频率控制:晶振的频率决定了微处理器的时钟频率,进而影响微处理器的性能。通过选择合适的晶振,可以调整微处理器的时钟频率,从而满足不同的应用需求。系统稳定性:晶振的稳定性和精度直接影响微处理器的性能稳定性。高质量的晶振能够提供稳定的...

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