可以通过手动调节晶体表面上的导线,以获得较佳的信号。这个较为麻烦的设备在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代,高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜,晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期,美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器,主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。在使用二极管时,应注意其极性,避免反向接入导致电路故障。惠州二极管市价
光电二极管在电路中一般处于反向工作状态,在没有光照时,反向电阻很大,反向电流被称为暗电流,此时暗电流小,相当于断路;当光照射在PN结上时,光子打在PN附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,他们在PN结处的内电场作用下做定向运动,形成光电流,光的照射强度越大,光电流就越大。因此,光电二极管在不受光照射时处于截止状态,在受光照射时处于导通状态,在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了,那就和普通二极管功能一样了。常州稳压二极管二极管的反向漏电流较小,有助于提高电路的稳定性。
发光二极管,施加正向偏置,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管,当LED产生的光是带宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管,光线射入PN结,P区空穴、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管,由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。
接面电压,当二极管的P-N结处于正向偏置时,必须有相当的电压被用来贯通耗尽区,导致形成一反向的电压源,此电压源的电压就称为障壁电压,硅二极管的障壁电压约0.6V~0.7V,锗二极管的障壁电压约0.3~0.4V。种类:依照材料及发展年代分类:二极真空管;锗二极管;硒二极管;硅二极管;砷化镓二极管。依照应用及特性分类:PN结二极管(PN Diode),施加正向偏置,利用半导体中PN接合的整流性质,是较基本的半导体二极管,常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。氮化镓二极管使用于高温、高频、高电压和高功率的应用场合,具有较高的工作效率。
二极管工作原理:二极管=PN结+马甲儿,在半导体性能被发现后,二极管成为了世界上头一种半导体器件,目前较常见的结构是,在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管,甚至可以说二极管实际上就是由一个PN结构成的,因此二极管工作原理约等于PN的工作原理,小编从源头讲讲二极管(PN结)到底是怎么来的?二极管工作原理:二极管PN节的好哥俩:P型半导体、N型半导体,我们一般根据导电能力(电阻率)的不同将物体来划分导体、绝缘体和半导体。更通俗地讲,完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。主要常见表示有硅、锗这两种元素的单晶体结构。但实际半导体不能一定的纯净,这类半导体称为杂质半导体。二极管在电子行业中普遍应用,是现代电子设备不可或缺的组成部分。常州稳压二极管
二极管是电子电路中的基础元件,具有单向导电性,常用于整流、开关等电路中。惠州二极管市价
由于点接触型二极管金属丝很细,形成的PN结面积很小,所以极间电容很小,同时,也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件,也可用来作小电流整流。如2APl是点接触型锗二极管,较大整流电流为16mA,较高工作频率为150MHz。面接触型二极管,面接触二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法,实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。面接触二极管PN结的接触面积大,可以通过较大的电流,适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。因其结电容相对较大,故只能在较低的频率下工作,在集成电路中可作电容用。如2CPl为面接触型硅二极管,较大整流电流为40OmA,较高工作频率只有3kHz。惠州二极管市价