汕头XBM3214BCA赛芯集成MOS 两节锂保

XBM3214  用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。汕头XBM3214BCA赛芯集成MOS 两节锂保

XBM3360   用于3串锂电池的保护芯片，3串 集成Sense   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度， 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点佛山XBM4451赛芯方案公司锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。

XBM3214 用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装多串锂电池保护IC概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况

 XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。移动电源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 单串移动电源.

    小家电、电动工具充电的快充管理DS3056是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理SOC，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时。 2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.深圳XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保

助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。汕头XBM3214BCA赛芯集成MOS 两节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 汕头XBM3214BCA赛芯集成MOS 两节锂保