QCL激光器基本参数
  • 品牌
  • 宁波宁仪
  • 型号
  • NY-LA
  • 运转方式
  • 可调谐式
  • 激励方式
  • 电激励式
  • 波段范围
  • 中红外
QCL激光器企业商机

    QCL激光器的基本结构包括FP-QCL、DFB-QCL和ECqcL。增益介质显示为灰色,波长选择机制为蓝色,镀膜面为橙色,输出光束为红色。1.简单的结构是F-P腔激光器(FP-QCL)。在F-P结构中,切割面为激光提供反馈,有时也使用介质膜以优化输出。2.第二种结构是在QC芯片上直接刻分布反馈光栅。这种结构(DFB-QCL)可以输出较窄的光谱,但是输出功率却比FP-QCL结构低很多。通过大范围的温度调谐,DFB-QCL还可以提供有限的波长调谐(通过缓慢的温度调谐获得10~20cm-1的调谐范围,或者通过快速注进电流加热调谐获得2~3cm-1的范围)。3.第三种结构是将QC芯片和外腔结合起来,形成ECqcL。这种结构既可以提供窄光谱输出,又可以在QC芯片整个增益带宽上(数百cm-1)提供快调谐(速度超过10ms)。由于ECqcL结构使用低损耗元件,因此它可在便携式电池供电的条件下高效运作。 在材料科学领域,可调谐激光器可以用于精确控制材料的加工和改性过程。四川新型QCL激光器加工

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    可调谐半导体激光吸收光谱(TunableDiodeLaserAbsorptionSpectroscopy)技术主要是利用可调谐半导体激光器的窄线宽和波长随注入电流改变的特性实现对分子的单个或几个距离很近很难分辨的吸收线进行测量。TDLAS通常是用单一窄带的激光频率扫描一条**的气体吸收线。为了实现比较高的选择性,分析一般在低压下进行,这时吸收线不会因为压力而加宽。这种测量方法是Hinkley和Reid提出的,现在已经发展成为了非常灵敏和常用的大气中痕量气体的监测技术。具有高灵敏度、实时、动态、多组分同时测量的优点。由于半导体激光器的高单色性,可以利用待测气体分子的一条孤立的吸收谱线进行测量,避免了不同分子光谱的交叉干扰,从而准确的鉴别出待测气体。可调谐红外激光光谱技术独特的优势以及在许多领域有着潜在的重要应用价值,是近年来非常热门的研究领域之一。可调谐半导体激光器,目前常用于TDLAS技术的可调谐半导体激光器包括:法珀(Fabry-Perot)激光器、分布反馈式(DistributedFeedback)半导体激光器、分布布喇格反射(DistributedBraggreflector)激光器、垂直腔表面发射(Vertical-cavitysurface-emitting)激光器和外腔调谐半导体激光器。 福建NOQCL激光器哪家好QCL相比其它激光器具有体积小、重量轻的特点,其携带方便,便于系统化和集成化。

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    在性价比方面,QCL激光器同样表现质量。尽管其技术含量较高,但随着生产工艺的不断进步以及市场需求的上升,QCL激光器的制造成本逐渐降低,使得越来越多的客户能够享受到这一先进技术所带来的好处。我们始终坚持为客户提供高质量的产品,确保每一台QCL激光器都经过严格的测试和质量控制,以满足不同客户的需求。创新性是QCL激光器在市场中脱颖而出的另一个关键因素。我们不断进行技术研发,以提升QCL激光器的性能,从而适应不断变化的市场需求。无论是在新材料的应用,还是在激光器设计的优化上,我们都力求为客户提供前沿的技术解决方案。此外,我们还关注如何提升激光器的耐用性和稳定性,以确保其在各种工况下的可靠运行。为了提高客户的满意度,我们不仅关注产品本身的质量和性能,还注重售后服务的完善。拥有一支专业的技术支持团队,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。我们定期开展客户培训,分享新的使用技巧和维护知识,通过不断倾听客户的反馈,我们力求在每一个细节上做到更好,确保客户的每一次使用体验都得到了提升。

    带间级联激光器(ICL)是实现3~5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等领域具有重要科学意义和应用价值。近年来,半导体带间级联激光器的量子阱能带理论设计方法和激光器制备**技术得到迅速提升。带间级联激光器是一种以Å族体系为主,通过量子工程的能带设计及其材料外延、工艺制作而成的可以工作于中红外波段的激光器。由于结合了传统的量子阱激光器较长的上能级载流子复合寿命,以及量子级联激光器(QCL)通过级联结构实现较高内量子效率的优点,在中红外波段具有较大的优势。研究背景中红外波段包含了许多气体分子的吸收峰,对于气体分子而言,在中红外波段的中心吸收截面一般比其在近红外区的中心吸收截面高几个数量级。因此,为了获得更高的灵敏度和更低的检测限,利用中红外的可调谐半导体激光器吸收光谱技术(TDLAS)可以实现对特殊或有毒气体的检测。常见的位于中红外波段的气体分子如图1所示,诸如矿井气体甲烷(CH4)分子吸收峰位于3260nm,一氧化碳(CO)分子吸收峰位于4610nm,二氧化碳(CO2)分子吸收峰位于4230nm,氯化氢(HCl)分子吸收峰位于3395nm,溴化氢(HBr)分子吸收峰位于4020nm。 TDLAS利用半导体激光器的波长调谐特性,可获得待测气体特征吸收峰的吸收光谱,对气体定量的分析。

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    在环境污染分子的监测分析中,典型的应用有、、。近红外光谱的一个优点是压力加宽不是一个很大的问题,因此可以在近大气压或开放光程工作。缺点是有许多分子在该谱区没有吸收,虽然在测量复杂混合物时,这也许是一个优点。中红外波段工作在3-13μm的“指纹”区,是气体分子基带吸收。这个波段分子吸收线的强度比近红外波段要大几个量级。如:CH4在,理论检测下限可达;CO在,理论检测可达。通常分子在这个波段的振动和转动光谱谱线非常丰富密集,典型的光谱线宽约为2×10-3cm-1(~60MHz)。中红外波段激光光谱技术目前主要受到激光光源的限制,但近几年来,随着红外激光技术的发展和新型中红外相干光源技术的发展,在中红外波段进***体分子的超高灵敏检测技术有了长足的进步。 TDLAS利用可调谐半导体激光器的窄线宽和波长随注入电流变化,对分子的单个或几个相近的吸收线进行测量。四川新型QCL激光器加工

红外气体传感器是通过测量被测气体在特定的红外波段吸收了多少光的能量来计算浓度的。四川新型QCL激光器加工

    激光器的发展里程碑如下:1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大性里程碑。量子级联激光器的工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它打破了传统p-n结型半导体激光器的电子-空穴复合受激辐射机制,其发光波长由半导体能隙来决定,填补了半导体中红外激光器的空白。QCL受激辐射过程只有电子参与,其激射方案是利用在半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态之间产生粒子数反转,从而实现单电子注入的多光子输出,并且可以轻松得通过改变量子阱层的厚度来改变发光波长。量子级联激光器比其它激光器的优势在于它的级联过程,电子从高能级跳跃到低能级过程中,不但没有损失,还可以注入到下一个过程再次发光。这个级联过程使这些电子"循环"起来,从而造就了一种令人惊叹的激光器。因此,量子级联激光器的发明被视为半导体激光理论的一次和里程碑。 四川新型QCL激光器加工

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