面接触型二极管价格

恒流二极管 （ 英语 ： Constant Current Diode ） （或称定电流二极管，CRD、Current Regulative Diode），被施加顺方向电压的场合，无论电压多少，可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管，但是构造、动作原理都与接合型电场效应晶体管相似。变容二极管，施加反向偏置，二极管PN接合的耗尽层厚度会因电压不同而变化，产生静电容量（接合容量）的变化，可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高，普遍应用于压控振荡器或可变电压滤波器，也是电视接收器和移动电话不可缺少的零件。二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。面接触型二极管价格

二极管是否损坏如何判断：单负导电性能的检测及好坏的判断，通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。广州开关二极管作用二极管具有快速开关速度的优势，适用于高频应用。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

阻尼二极管，阻尼二极管英文名称为Damping diode，它具有较高的反向工作电压和峰值电流，较小的正向压降，高频高压整流二极管，可用作电视线路扫描电路中的阻尼和升压整流器。阻尼二极管主要用于黑白或彩电线路扫描电路的阻尼、整流电路，可以是硅二极管或锗二极管。它具有类似于高频高压整流二极管的特性。它的反向恢复时间很短，能够承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。它可以工作在高频(线路频率)，并具有较低的正向压降。由于二管有低成本、易于制造的特点，普遍应用于各种电子设备中。

频率倍增用二极管，频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode，对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间明显的短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因TT（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。二极管作为电子开关，具有快速响应和可靠性高的特点。广州开关二极管作用

二极管是一种半导体器件，具有导通方向和截止方向的特性。面接触型二极管价格

正向偏置（Forward Bias），二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入空穴。这样一来，让多数载流子过剩，耗尽层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随着偏置的增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。面接触型二极管价格