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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

利用TVS的钳位特性,将8 kV危险浪涌电压削减到10 V的安全电压。需要注意的是,以上电路应满足Rggt;RS RLoadgt;RS这一条件。


TVS在TN电源系统的应用


  雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部,造成电气电子设备失效、误动作,甚至造成设备的损坏,造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值,其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV 和TVS,实施两级保护,并对L、N 线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV 作为第1级SPD保护,泄放大部分雷电流,在线路的末端(设备前端)安装大功率TVS作为第二级SPD保护,进一步削弱过电压波幅值,将电网电压降至E/I安全耐压范围之内,如图3所示。要注意的是,MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合,AB之间的线路长度不应小于5 m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。


反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。惠州MOS二极管

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这两种管子通常用于开关电源。


  肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!


  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!


  快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

   肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 8550三极管报价肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。

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TO-252封装的超快速恢复二极管


  MUR540、MUR560、MUR580平均整流输出电流为5A,反向重复峰值电压为400v、600v、800v。 MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流输出电流为10A,反向重复峰值电压为400v、600v、800v。六款超快速恢复二极管,均采用TO-252封装,适用于各种整流应用。


  封装TO-252属于贴片式背带散热片,该产品可以较好的替代传统直插DO-27封装,减少了传统直插带来的人工成本及再加工成型带来的压力损伤等因素,具有效率更高、产品稳定性能更佳、空间占用小等优势。  



半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。



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半导体三极管的好坏检测


a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位


b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:


红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.


c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:


将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.


d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.


单负导电性能的检测及好坏的判断 通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。惠州MOS二极管

在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管.惠州MOS二极管

MOS管


MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。


NMOS管的原理图示如下


它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门就开启,绿色的电子好像水流一样就会从源极(S)流到漏极(D)。


刚开始水流随着阀门的开启增大而增大,这就是线性工作区。当阀门开到一定程度,水流不会再增大了,因为管子满了。这就是饱和区工作状态。


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