晶体管因为有以下的优点，因此可以在大多数应用中代替真空管：
没有因加热阴极而产生的能量耗损，应用真空管时产生的橙光是因为加热造成，有点类似传统的灯泡。
体积小，重量低，因此有助于电子设备的小型化。
工作电压低，只要用电池就可以供应。
在供电后即可使用，不需加热阴极需要的预热期。
可透过半导体技术大量的生产。
放大倍数大。
平面晶体管
平面工艺是60年代发展起来的一种非常重要的半导体技术。该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路。凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。
二极管、三极管、场效应管都是半导体器件.东莞晶体管采购
关于晶体管 *
想要弄懂晶体管，就要先弄懂二极管。想弄懂二极管就有一个很关键的原理性问题（可能是只有我一个人不知道）：电流和电压不是相辅相成的，两者可以单独存在。我的理解，如果把电子一颗一颗的发射出去，那一样是形成电流，但却没有电压。而一边的电势高，一边的电势低，然而电子被固定住了，那么一样形成不了电流，但却有电压。
pn结动态平衡时，电子在n级本来是自由移动的，而且n级形成的离子区偏向于正电，正负相吸引，所以并不阻碍电子在n级整一块晶体里运动。然而在p极形成的带负电的离子区，会排斥电子，当电子从n极快要接近p级的边界时，就因为负负排斥而被推回来了。所以一开始电子到不了p极去。
广东晶体管采购晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型.
场效应晶体管（FET）的截面图，其中（a）栅极为0V，（b）栅极为-0.5V，（c）栅极为-1.0V，相对于源极电压。由于栅极上没有电压，电流可以从漏极流向源极。栅极上的负电压很小，电流减小。栅极上的负电压很大，电流停止，晶体管关闭（称为夹断，因为沟道被夹紧闭合）。
如果相对于源极电压（Vgs）的小负电压施加到栅极端子，如图2（b）所示，沟道内的带负电的电子将从栅极和沟道（channel）的一个区域排斥，被称为耗尽区中的自由电子耗尽。耗尽其自由电子的一些沟道（channel）的效果是*沟道（channel）的底部具有自由电子来传输电流，因此流过沟道（channel）的比较大电流减小。如果如图2（c）所示将更大的负电压施加到栅极端子（Vgs），则电子甚至更远离栅极被排斥，并且耗尽区域一直延伸穿过沟道。当耗尽区一直延伸穿过沟道时，没有自由电子携带电流;此时可以说FET被夹断，发生这种情况的栅极电压称为夹断电压（pinch-off voltage (VP)）。当栅极电压（Vgs）设置为或低于夹断电压时，则FET处于“关断”状态。
单结晶体管的主要参数与极性的判断
1．单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为（5~10）KΩ，其数值随温度上升而增大，不同型号的管阻值有较大的差异。
（2）分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo。在b1开路时，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。
三极管（BJT管），也称为双性型晶体管
三极管是一个人丁兴旺的“大家族”，其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的，比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析，下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿，并且这三条腿不能相互换用，不像MOS管那样其源极（S）和漏极（D）在一定条件下还可以换用的（低频的结型管可以互换）。从图中我们也可以看到，三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题，分别从三个半导体基座中引出三个极，我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是，通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小，由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。
提出了使用p-n 结面制作接面晶体管的方法，称为双极型晶体管。江门电路图晶体管
单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。东莞晶体管采购
导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中**常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
2半导体三极管的电流分配及放大作用
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