深圳官方瓷片电容质量材质上乘

在日常的操作中我们遇到不少问题，而这些问题都是大家会非常关注，瓷片电容器击穿后如果一直加电，那它短路的地方会被烧断，形成断路吗？

击穿是电压强度超过绝缘体承受限度时发生的，电流可无视绝缘体而直接导通，所以是短路。如果没有保护电路，一直加电短路的地方可能会被烧断。这还要看供电电源是否能提供足够的电流，另外还要看电容击穿的情况(短路电阻要比较小)。

瓷片电容器击穿后则相当于短路，原因是当电容接在直流上时是是看为开路，接在交流电上时看为短路，瓷片电容器有个性质是通交隔直，击穿一词在电工的理解是短路，击穿形成的原因主要是外界电压超过其标称电压所导致的性破坏，叫做击穿。

在固体电介质中发生破坏性放电时，称为击穿。击穿时，在固体电介质中留下痕迹，使固体电介质失去绝缘性能。如绝缘纸板击穿时，会在纸板上留下一个孔。可见击穿这个词用于固体电介质中。 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。深圳官方瓷片电容质量材质上乘

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。

片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 广东质量瓷片电容服务至上电容器组的放电装置、电容器室的通风装置和通风孔，以及电容器回路上的电器元气等。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

电容器（Capacitor）电路缩写为C，电容单位法拉，用字母“F”表示。电容是用来储存电荷的容器，简称电容器。电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。

  瓷片电容又称圆片瓷介电容，分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等，那瓷片电容参数如何识别呢？

  瓷片电容参数识别的方法

  电容的标称及识别方法：

  1.直标法：如果数字是0.001，那它**的是0.001uF=1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

  2.不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，0.5为0.5pF。 按介质材料可分为：高介电常数电容器和低介电常数电容器。

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

陶瓷瓷片有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态，这是它的弱点。而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。 按工作频率可分为：高频瓷介电容器和低频瓷介电容器。深圳口碑好瓷片电容高性价比的选择

低压陶瓷电容，一般指100V以下的。深圳官方瓷片电容质量材质上乘

2、去藕

去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。 深圳官方瓷片电容质量材质上乘

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