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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

导体三极管


1半导体三极管的结构.


半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中**常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用


定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类


晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域


集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,


发射结正向偏置、使电结反向偏置。


2半导体三极管的电流分配及放大作用


所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。这种晶体管的性能**优于均匀基区晶体管。珠海计算机晶体管

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也可使用其它种类器件完成同样的单向导电功能,比如真空二极管。但是它们非常复杂,具有很多部件,如果过热也会造成器件不可靠,造价很高,也不可能进行小型化。


能够小型化非常关键,晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。



为了理解***个晶体管的工作原理,可以把它左右分开,看成两个并联在一起的单向导电的二极管。


在中间是一层半导体锗,它具有负电荷载流子。下面是金属铜形成的导电基底。**上层是有金箔层。



当金箔接触到半导体锗表面的时候,就会形成带有正电荷载流子的半导体。在其下就是带有负电荷载流子的锗半导体。


绵阳晶体管比较便宜1947年贝尔实验室发表了***个以锗半导体做成的点接触晶体管。

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三极管放大原理参考示意图


① 如图 2.20 (a)所示:当发射结无电压或施加电压在门限电压以下,相当于闸门关紧时,水未从水龙头底部通过水嘴流出来。此时, ec 之间电阻值无穷大, ec 之间的电流处于截止状态,或者说是开关的 OFF 状态。


子元器件基础知识- -三极管    *


三极管,是一种具有三个电极的装置,也称为双极型晶体管、晶体三极管,实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区,从而引出基极、发射机和集电极三个电极,按结构可将其分为NPN型和PNP型。



单结晶体管的主要参数与极性的判断


1.单结晶体管的主要参数


(1)基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为(5~10)KΩ,其数值随温度上升而增大,不同型号的管阻值有较大的差异。


(2)分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数,一般为0.3--0.85。


(3)eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时,在额定反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。


(4)反向电流Ieo。在b1开路时,在额定反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。


(5)发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时,eb1间的压降。


(6)峰点电流Ip:单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流。


这使我们更接近于制造光学晶体管。

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参见晶体三极管特性曲线2-18图所示:


图2-18 晶体三极管特性曲线


3、晶体三极管共发射极放大原理如下图所示:


A、vt是一个npn型三极管,起放大作用。


B、ecc 集电极回路电源(集电结反偏)为输出信号提供能量。


C、rc 是集电极直流负载电阻,可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。


D、基极电源ebb和基极电阻rb,一方面为发射结提供正向偏置电压,同时也决定了基极电流ib.


图2-19 共射极基本放大电路


E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。


F、rl是交流负载等效电阻。


单结晶体管的e、b1极之间,相当于一个受发射极电压Ue控制的开关,故可以用来作振荡元件。北京功率晶体管

单结晶体管虽然有三个电极。珠海计算机晶体管

下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。


三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。


如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。


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