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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
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肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。


可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。PNP三极管价格

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通俗易懂的三极管工作原理    *


1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工艺上的两个特点:(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。


2、晶体三极管的工作原理。


其次,三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得输出必须施加负载。


可变三极管销售代理肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。

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场效应管与晶体管的比较


(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。


(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。


(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。


(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管



三极管有三个区域,发射区和集电区是同一个类型,而中间的基区是另外一个类型。


发射区发射电荷,集电区收集电荷,基区用于控制发射和收集电荷的数量,即电流大小。


以NPN为例,发射区的电荷(自由电子)要想到达集电区,需要穿过两个PN结:发射结和集电结。在发射区,自由电子是多子,所以需要在发射结上加正偏电压,让PN结消失,作为多子扩散到基区。


到达基区后,极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流,从基极流出(电流方向是从基极流入),但基区空穴极少,故大部分电荷没有复合的机会,堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子(但是***数量较多,基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子),需要在集电结反偏时,作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压,而集电结加反偏电压。


发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目,也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目,极电流的大小。


集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。



肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。

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三极管的特殊用途:


半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可**使用的两端或三端器件。


1. 扩流。


把一只小功率可控硅(晶闸管)和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。


2. 代换。


图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。



目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。1SMA4728 二极管品牌企业

也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。PNP三极管价格

激光二极管的检测


  1.阻值测量法 拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。


  2.电流测量法 用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器(见图4-76),而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。


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