让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。
与二极管类似，三极管也是由PN结构成的，它的内部包含两个PN结，这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同，三极管可以分成NPN型和PNP型。
以NPN型为例，三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚，就是三极，中间为基极B，两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”，基区、集电区和发射区。
三个区结构上各有特点，基区**薄，集电区面积比较大，发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合，在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结，基区与发射区交界处称为发射结。
稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关。惠州晶体二极管
桥堆的检测
1．全桥的检测 大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。
检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
2．半桥的检测 半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
8550三极管价格也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接。
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
三极管各区的工作条件：
1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：
2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；
3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。
11、半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右。郑州整流二极管
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。惠州晶体二极管
如果二极管反向耐压满足不了实际电路工作情况，可以通过串联两个二极管来提高二极管的反向耐压。
下面是将两个二极管串联，分别测量它们各自反向电压电流曲线以及串联后的电压电流曲线，可以看到反向击穿电压等于它们各自反向击穿电压之和。
二极管串联之后的反向电压电流曲线
有一种双向稳压二极管，通常用于电路的保护，逆变电路中反激电压的产生。它相当于将两个二极管反向串联在一起。从外表上来看它没有特别的极性标识，使用万用表的二极管档测量，它两个方向都呈现截止特性。
如果施加正向和反向电压，可以看到它的电压电流曲线在两个方面上基本一致。下图是对一种双向稳压二极管测量两个方向的击穿电压电流曲线。
双向稳压二极管的击穿电压电流曲线
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