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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
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半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。


若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。稳压二极管批发

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外一个标称为1N4004的二极管,通过实测会发现,它的反向耐压的数值居然与1N4007相同。说明器件生产商为了减少型号库存,将同规格的器件按照不同型号来出品。


不同型号的1N400X反向击穿电压曲线,


1N4004,1N4007的反向耐压曲线是相同

有的时候,对于二极管的反向耐压数值要求精度比较高,向TVS瞬变二极管通常用于***和吸收电路中瞬态高电压脉冲,用于保护电路。它的击穿电压需要能够比较精确。如果与标称值有较大的误差的话,在实际工作中就起不到保护电路的作用了。

手边的TVS二极管,型号为1.5KE100A,数据手册给定的反向击穿电压范围是:85.5~105V,典型击穿电压为95V。下面是实测反向电压电流曲线,它的击穿电压为96V,与标称值非常接近。


MMBT2222三极管品牌企业根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.

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稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关,由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时,可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。

确定了稳压二极管的稳压值之后,需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时,无法起到正常的稳压作用,过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值,需要首先确定两个值,一个是输入的电压范围,另一个是负载电流的变化范围,还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流,这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。

假设输入电压的范围为15V-18V,负载电流变化范围为5-15mA,输出稳压值为12V,稳压二极管的**小电流为,比较大电流为50mA。

根据公式计算:(18V-12V)/(50mA+5mA)

以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数,应该特别主要的是,稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的,这样在输入电压超过其稳压值时,不但不会起到稳压作用,还会引起发热损坏。



肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。


通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

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如果二极管反向耐压满足不了实际电路工作情况,可以通过串联两个二极管来提高二极管的反向耐压。




下面是将两个二极管串联,分别测量它们各自反向电压电流曲线以及串联后的电压电流曲线,可以看到反向击穿电压等于它们各自反向击穿电压之和。




二极管串联之后的反向电压电流曲线




有一种双向稳压二极管,通常用于电路的保护,逆变电路中反激电压的产生。它相当于将两个二极管反向串联在一起。从外表上来看它没有特别的极性标识,使用万用表的二极管档测量,它两个方向都呈现截止特性。




如果施加正向和反向电压,可以看到它的电压电流曲线在两个方面上基本一致。下图是对一种双向稳压二极管测量两个方向的击穿电压电流曲线。




双向稳压二极管的击穿电压电流曲线


肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降,小于10nS的反向恢复时间。江苏快恢复二极管

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