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可见在交流电的正负半波里，交流电源的电流是正负二个方向交变的，而负载电阻r的电流，由于整流桥的作用，使流经r的电流方向是不变的：总是由c点流向d点，即r的电流变为直流电。但r的电压是不稳定的，其波形是脉动，形状与交流电正半周波形相似，见上右侧图中的未加电容的ucd波形图。

如果在负载r二端并接一滤波电容c1，就会使r电压变得平稳，下面讲解其滤波原理：在交流电过零瞬间起，r的电压由0逐渐变大，此时由于c1并接在r二端，其电压也由0增加，此过程为电容c1的充电过程，当交流电压达到比较大值后开始下降，将使r的电压也由其比较大值开始下降，此时c1的电压将高于r电压，于是c1将开始向r放电，使r电压下降速率变缓，见上右侧图下的脸色波形图，此时r的电压电压波形比未加电容c1时的电压波形变得平稳，而且c1值越大，r1电压越平稳。

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它是由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式，故称桥式整流。

桥式整流电路的工作原理如图6所示。在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压。

在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流电压。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点，但多用了两只二极管。在半导体器件发展快，成本较低的***，此缺点并不突出，因而桥式整流电路在实际中应用较为***。

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这款电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥除了这种单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的，它们的原理完全相同作用就是整流，把交流电变为直流电。实质上就是把4个硅二极管接成桥式整流电路之后封装在一起用塑料包装起来，引出4个脚，其中2个脚接交流电源，用~~符号表示，2个脚是直流输出，用+ -表示。特点是方便小巧。

3、电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶，并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂，这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，科技开路，萱鸿高时效服务。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

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由于整流电路的输出电压都含有较大的脉动成分。为了尽量压低脉动成分，另一方面还要尽量保留直流成分，使输出电压接近理想的直流，这种措施就是滤波。滤波通常是利用电容或电感的能量存储作用来实现的。桥式整流器品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从0.5A到100A，比较高反向峰值电压从50V到1600V。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路。北京新型艾赛斯整流桥模块性价比出众

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